Project/Area Number |
23K22815
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Multi-year Fund |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
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Research Institution | Japan Advanced Institute of Science and Technology |
Principal Investigator |
鈴木 寿一 北陸先端科学技術大学院大学, ナノマテリアルテクノロジーセンター, 教授 (80362028)
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Project Period (FY) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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Budget Amount *help |
¥2,340,000 (Direct Cost: ¥1,800,000、Indirect Cost: ¥540,000)
Fiscal Year 2024: ¥2,340,000 (Direct Cost: ¥1,800,000、Indirect Cost: ¥540,000)
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Keywords | 窒化物半導体電界効果トランジスタ / 閾値電圧制御 / 界面固定電荷 / 分極ドーピング |
Outline of Research at the Start |
GaN系窒化物半導体を用いた金属/絶縁体/半導体電界効果トランジスタ(MIS-FET)について、界面電荷エンジニアリングと歪分極エンジニアリングの可能性を検討し、その知見に基づいた閾値電圧制御技術を開拓する。
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