Project/Area Number |
23K23087
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Multi-year Fund |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 26040:Structural materials and functional materials-related
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Research Institution | Kyoto University of Advanced Science |
Principal Investigator |
生津 資大 京都先端科学大学, 工学部, 教授 (90347526)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
内藤 宗幸 甲南大学, 理工学部, 教授 (10397721)
中村 康一 京都先端科学大学, 工学部, 教授 (20314239)
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Project Period (FY) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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Budget Amount *help |
¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000)
Fiscal Year 2024: ¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000)
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Keywords | 電子線照射 / シリコンナノドット / Si酸化膜 / 破壊 / 強度 |
Outline of Research at the Start |
本研究では,Si酸化物が持つ脆性破壊問題に対し,電子線照射で局所還元させて形成するSiナノドットを巧みに配列させ,その周辺を応力集中源としてき裂進展経路を人為操作して高靭化する「材料強度アクティブ制御」技術を構築し,「高強度+極微小ばらつき」を実現する新しい強度制御法を提案する.Siナノドットの核形成~成長・結晶化に至るメカニズムを実験的/解析的に理解した上でSiナノドット配列の破壊強度への効果をナノ力学実験で実証する.高強度(平均強度50%UP)+極小ばらつき(従来比1/10)の目標達成に挑む.
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