Project/Area Number |
23K23180
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Multi-year Fund |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 28030:Nanomaterials-related
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Research Institution | Osaka Metropolitan University |
Principal Investigator |
野内 亮 大阪公立大学, 大学院工学研究科, 准教授 (70452406)
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Project Period (FY) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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Budget Amount *help |
¥1,950,000 (Direct Cost: ¥1,500,000、Indirect Cost: ¥450,000)
Fiscal Year 2024: ¥1,950,000 (Direct Cost: ¥1,500,000、Indirect Cost: ¥450,000)
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Keywords | 原子層半導体 / エッジ状態 / エッジ終端化 / ダングリングボンド / フェルミ準位ピニング |
Outline of Research at the Start |
従来のシリコン等の3次元半導体と違い、面内で結合が閉じた2次元構造を有する原子層半導体の場合、完全結晶では表面にダングリングボンドが無いため、ダングリングボンドの影響が軽視されてきた。しかし、研究代表者は、端(エッジ)自体は1~数原子の幅でしかないとしても、エッジのダングリングボンドがデバイス特性に及ぼす影響はマイクロメートルスケールに渡ることを見出し、エッジに局在する電子状態(=エッジ状態)の低減の必要性を明らかにした。本研究は、原子層半導体のエッジ状態を低減するためのプロセスの開発や、当該プロセスがデバイス動作へ及ぼす影響の解明を行うことにより、原子層半導体デバイスの性能向上を成し遂げる。
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