Synthesis of Ultrathin Functional Oxides Using Atomically Thin Transition Metal Dichalcogenides as Oxidation Precursors

• Project/Area Number: 23K23182
• Project/Area Number (Other): 22H01914 (2022-2023)
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund (2024); Single-year Grants (2022-2023)
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 28030:Nanomaterials-related
• Research Institution: Kansai University
• Principal Investigator: 山本 真人 関西大学, システム理工学部, 准教授 (00748717)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 上野 啓司 埼玉大学, 理工学研究科, 教授 (40223482) ; 麻生 亮太郎 九州大学, 工学研究院, 准教授 (40735362)
• Project Period (FY): 2022-04-01 – 2026-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥17,290,000 (Direct Cost: ¥13,300,000、Indirect Cost: ¥3,990,000); Fiscal Year 2025: ¥1,690,000 (Direct Cost: ¥1,300,000、Indirect Cost: ¥390,000); Fiscal Year 2024: ¥2,470,000 (Direct Cost: ¥1,900,000、Indirect Cost: ¥570,000); Fiscal Year 2023: ¥7,150,000 (Direct Cost: ¥5,500,000、Indirect Cost: ¥1,650,000); Fiscal Year 2022: ¥5,980,000 (Direct Cost: ¥4,600,000、Indirect Cost: ¥1,380,000)
• Keywords: 二次元物質 / 原子層物質 / 遷移金属ダイカルコゲナイド / 機能性酸化物 / 不揮発性メモリ / 抵抗変化メモリ

Outline of Research at the Start

遷移金属酸化物は、既存の半導体には見られない特性を示すことから、次世代のエレクトロニクス基盤材料としての期待が大きい。しかし、今後、遷移金属酸化物をトランジスタやメモリなどの多様なデバイスに応用し、実用に適う超低消費電力動作を実現させるためには遷移金属酸化物を任意基板上で超薄膜形成させる汎用技術の開拓が必要不可欠である。本研究では、遷移金属酸化物の将来的なエレクトロニクスへの実装を視野に入れ、どこへでも貼り付け剥がすことのできる遷移金属ダイカルコゲナイド原子層を均一酸化させることで、任意基板上への転写が可能な遷移金属酸化物を超薄膜形成させる技術の確立を目指す。