Project/Area Number |
23K23225
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Multi-year Fund |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 29020:Thin film/surface and interfacial physical properties-related
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Research Institution | Osaka University |
Principal Investigator |
坂本 一之 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (70261542)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
宮町 俊生 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 准教授 (10437361)
小田 竜樹 金沢大学, 数物科学系, 教授 (30272941)
水津 理恵 名古屋大学, 理学研究科, 特任助教 (90373315)
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Project Period (FY) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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Budget Amount *help |
¥5,070,000 (Direct Cost: ¥3,900,000、Indirect Cost: ¥1,170,000)
Fiscal Year 2024: ¥5,070,000 (Direct Cost: ¥3,900,000、Indirect Cost: ¥1,170,000)
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Keywords | 原子層結晶 / ラシュバ・エデルシュタイン効果 / スピン軌道相互作用 / スピントロニクス / 界面 |
Outline of Research at the Start |
原子層結晶研究の新しい展開を切り拓き、従来型の記憶素子を凌駕する原子層結晶を用いた次世代スピントロニクスデバイスの具現化への道筋を明示する。原子層結晶界面で発現する量子現象を利用することで期待される高機能スピントロニクスデバイスは未だ実用化に至っておらず、その具現化には同界面でのスピン物性を完全に理解することが不可欠である。物性測定・試料作製・理論の研究者がチームを組み、実験で得た原子層結晶界面のスピン偏極電子バンドを理論的に解析することで、原子層結晶”表面”でのみ議論されてきた同バンドの普遍性を明らかにし、原子層結晶界面を用いたスピン軌道トルク磁気抵抗メモリなどのデバイスの可能性を議論する。
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