Project/Area Number |
23K23236
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Multi-year Fund |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 30010:Crystal engineering-related
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Research Institution | Hirosaki University |
Principal Investigator |
小林 康之 弘前大学, 理工学研究科, 教授 (90393727)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
中澤 日出樹 弘前大学, 理工学研究科, 教授 (90344613)
小豆畑 敬 弘前大学, 理工学研究科, 准教授 (20277867)
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Project Period (FY) |
2024-04-01 – 2026-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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Budget Amount *help |
¥7,280,000 (Direct Cost: ¥5,600,000、Indirect Cost: ¥1,680,000)
Fiscal Year 2025: ¥3,640,000 (Direct Cost: ¥2,800,000、Indirect Cost: ¥840,000)
Fiscal Year 2024: ¥3,640,000 (Direct Cost: ¥2,800,000、Indirect Cost: ¥840,000)
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Keywords | 六方晶窒化ホウ素 / 分子線エピタキシー / 窒化物半導体 |
Outline of Research at the Start |
GaN系デバイス構造は、発光ダイオード、高電子移動度トランジスタ等に応用され、幅広く社会で実用化されている。このGaN系デバイス構造を、土台となる基板から剥離し別の基板に転写することができれば、その応用範囲がより大きく広がる。本研究では、六方晶窒化ホウ素を剥離層として機械的に成長用基板から剥離し、他の基板に転写する剥離転写技術において、格子不整合が小さい金属バッファ層をサファイア基板上に成長し、その金属バッファ層上に高品質h-BN剥離層を実現し、そのh-BN層上のGaN系デバイス構造中の転位密度を低減することにより、剥離転写可能なGaN系デバイス構造の応用範囲をより大きく広げる研究である。
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