Research Project
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
新しい太陽電池材料として注目されている金属ハライドペロブスカイト型半導体を,様々な高機能光デバイスに利用できる汎用の高性能材料にステップアップさせることを目指して,高品質ヘテロエピタキシー技術を開発し,それを用いて量子井戸構造を作製することを目的とする。従来の有機カチオンを含むハライド置換系ではなく,全無機でBサイト金属を入れ替えたヘテロ構造を採用し,物理気相堆積法によって既存の半導体材料に匹敵する品質のヘテロ構造作製を可能としたい。