Project/Area Number |
23K23242
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Multi-year Fund |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 30010:Crystal engineering-related
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Research Institution | Saga University |
Principal Investigator |
嘉数 誠 佐賀大学, 理工学部, 教授 (50393731)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
SAHA・NILOY CHANDRA 佐賀大学, 理工学部, 助教 (20933089)
高橋 和敏 佐賀大学, シンクロトロン光応用研究センター, 教授 (30332183)
大石 敏之 佐賀大学, 理工学部, 教授 (40393491)
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Project Period (FY) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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Budget Amount *help |
¥3,380,000 (Direct Cost: ¥2,600,000、Indirect Cost: ¥780,000)
Fiscal Year 2024: ¥3,380,000 (Direct Cost: ¥2,600,000、Indirect Cost: ¥780,000)
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Keywords | ダイヤモンド / ヘテロエピタキシャル成長 / パワー半導体 |
Outline of Research at the Start |
ダイヤモンド半導体は5.5eVのバンドギャップを有し、次々世代パワー半導体として期待 されている。応用上課題だったダイヤモンドウェハの大口径化は、申請者らによるサファイア基板上ダイヤヘテロエピタキシャル成長で2インチ径まで可能になった。 本研究は、結晶格子の異なる基板上に成長するダイヤモンドヘテロエピ成長の機構を学術的に解明するものである。本研究の成果は、次々世代パワー半導体デバイスの最重要な要素技術を確立し、半導体/金属/酸化物絶縁体という新結晶系の組合せのヘテロエピタキシャル成長の学術的分野を拓くものである。
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