Project/Area Number |
23K23431
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Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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Allocation Type | Multi-year Fund |
Section | 一般 |
Review Section |
Basic Section 36010:Inorganic compounds and inorganic materials chemistry-related
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Research Institution | University of Yamanashi |
Principal Investigator |
柳 博 山梨大学, 大学院総合研究部, 教授 (30361794)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
有元 圭介 山梨大学, 大学院総合研究部, 准教授 (30345699)
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Project Period (FY) |
2024-04-01 – 2025-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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Budget Amount *help |
¥3,640,000 (Direct Cost: ¥2,800,000、Indirect Cost: ¥840,000)
Fiscal Year 2024: ¥3,640,000 (Direct Cost: ¥2,800,000、Indirect Cost: ¥840,000)
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Keywords | SnS / TFT |
Outline of Research at the Start |
本研究ではn型化を実現した研究代表者の材料設計仮説をさらに展開することで真性半導体SnS単結晶を実現し、その欠陥抑制メカニズムを解明することで仮説を検証する。さらにこの成果を基に作製したSnS薄膜を用い、研究分担者が中心となってTFTデバイス作製プロセスを検討し高性能pチャンネルTFT、アンバイポーラTFTを実証しSnSを用いた次世代デバイスの作製指針を提言する。これらの成果を通して硫化物半導体の欠陥化学解明にも貢献する。
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