強磁場サイクロトロン共鳴によるBiSbトポロジカル表面状態の検出

• Project/Area Number: 23K25808
• Project/Area Number (Other): 23H01111 (2023)
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund (2024); Single-year Grants (2023)
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 13020:Semiconductors, optical properties of condensed matter and atomic physics-related
• Research Institution: National Institute for Materials Science
• Principal Investigator: 今中 康貴 国立研究開発法人物質・材料研究機構, マテリアル基盤研究センター, グループリーダー (70354371)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 秋山 了太 東京大学, 大学院理学系研究科(理学部), 助教 (40633962)
• Project Period (FY): 2023-04-01 – 2026-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥18,720,000 (Direct Cost: ¥14,400,000、Indirect Cost: ¥4,320,000); Fiscal Year 2025: ¥4,420,000 (Direct Cost: ¥3,400,000、Indirect Cost: ¥1,020,000); Fiscal Year 2024: ¥5,980,000 (Direct Cost: ¥4,600,000、Indirect Cost: ¥1,380,000); Fiscal Year 2023: ¥8,320,000 (Direct Cost: ¥6,400,000、Indirect Cost: ¥1,920,000)
• Keywords: 強磁場分光 / トポロジカル物質 / サイクロトロン共鳴 / バンド間遷移 / 強磁場 / トポロジカル表面 / ビスマス

Outline of Research at the Start

光電子分光によりビスマスおよびビスマスアンチモンの薄膜試料において見いだされている非自明な表面状態（トポロジカル表面）を、テラヘルツ分光の高度化と試料の高品質化を行うことで、サイクロトロン共鳴実験による検出を実現する。それにより磁気光学的手法のトポロジカル表面の研究への有効性を示すことを目指す。