Research Project
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高性能パワーデバイスへの応用が進む単結晶 SiC の高能率な研磨法として、電解酸化を援用した電気化学機械研磨 (ECMP) が期待されている。研究代表者が提唱する薬液による環境負荷が全くない新たな環境調和型ECMPについて、そのメカニズム解明とそれに基づく加工技術体系の構築を行う。これにより60分以内の加工時間でダメージフリーかつサブnmの粗さを有するSiC表面を目標とする。