Quantum dot formation by electron beam irradiation and application to yellow semiconductor laser

• Project/Area Number: 23K26149
• Project/Area Number (Other): 23H01455 (2023)
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund (2024); Single-year Grants (2023)
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
• Research Institution: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• Principal Investigator: 秋本 良一 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (30356349)
• Project Period (FY): 2023-04-01 – 2026-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥18,980,000 (Direct Cost: ¥14,600,000、Indirect Cost: ¥4,380,000); Fiscal Year 2025: ¥4,030,000 (Direct Cost: ¥3,100,000、Indirect Cost: ¥930,000); Fiscal Year 2024: ¥4,030,000 (Direct Cost: ¥3,100,000、Indirect Cost: ¥930,000); Fiscal Year 2023: ¥10,920,000 (Direct Cost: ¥8,400,000、Indirect Cost: ¥2,520,000)
• Keywords: 半導体レーザー / 量子ドット / 電子線 / 分子線エピタキシー

Outline of Research at the Start

可視波長域の光を発生する半導体レーザーにおいて、波長560～590nmの黄色波長帯は研究レベルの報告はあるものの、実用化という点では未踏波長帯となっている。本研究では、レーザー活性層に量子ドットを導入したワイドギャップII-VI族半導体材料を用いて、黄色波長域で動作する信頼性の高い量子ドット半導体レーザーを実現することを目指す。結晶成長中に電子線照射することにより、高効率で黄色発光する量子ドットを形成する独自の方法を用いる点に特徴がある研究である。