Studies on device development technology by controlling physical properties using helium ion microscopy

• Project/Area Number: 23K26152
• Project/Area Number (Other): 23H01458 (2023)
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund (2024); Single-year Grants (2023)
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
• Research Institution: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• Principal Investigator: 浦野 千春 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 計量標準総合センター, 研究グループ長 (30356589)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 永崎 洋 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 首席研究員 (20242018) ; 三澤 哲郎 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 計量標準総合センター, 主任研究員 (40635819) ; 森田 行則 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 上級主任研究員 (60358190) ; 石田 茂之 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (90738064)
• Project Period (FY): 2023-04-01 – 2026-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥19,110,000 (Direct Cost: ¥14,700,000、Indirect Cost: ¥4,410,000); Fiscal Year 2025: ¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000); Fiscal Year 2024: ¥4,550,000 (Direct Cost: ¥3,500,000、Indirect Cost: ¥1,050,000); Fiscal Year 2023: ¥10,010,000 (Direct Cost: ¥7,700,000、Indirect Cost: ¥2,310,000)
• Keywords: 超伝導 / 高温超伝導体 / ジョセフソン接合 / ヘリウムイオンビーム / 描画加工 / 高温超伝導 / ヘリウムイオンビーム顕微鏡 / 物性制御 / 電圧標準

Outline of Research at the Start

ジョセフソン接合は弱く結合した超伝導体からなるトンネル接合デバイスである。ジョセ フソン接合には様々な作製手法があるが、我々はヘリウムイオン顕微(HIM)技術を用いた描画加工によるジョセフソン接合の作製に注目 している。本研究では、デバイスの性能や再現性の向上のため、HIM描画加工による物性制御メカニズムの検討、新原理の発見・提案および原 子レベルでの材料評価手法の可能性検討に取り組む。