Research Project
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
本研究では,MHz台の高周波スイッチングが可能なワイドバンドギャップ半導体を利用した相補型FET(C-FET)による相補型高電圧高速インバータおよびコンバータを開発する.高電圧のC-FETは未だ開発されておらず,本研究では,n-FETにSiCあるいはGaNを,p-FETにダイヤモンドを利用する.ダイヤモンドp-FETは,SiCやGaNのp-FETより100倍は優れ,SiCやGaNのn-FETの性能に近づいており,SiCやGaNのn-FETと組み合わせ,MHz動作の高電圧C-FETを実現する.これによりトランスやフィルタ等のインダクタが超小型化し,システム小型軽量化に貢献する.