Precise Control of Ge Nanosheet Channel Structure and Investigation of Carrier Transport through vdW Contacts

• Project/Area Number: 23K26168
• Project/Area Number (Other): 23H01474 (2023)
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund (2024); Single-year Grants (2023)
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
• Research Institution: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• Principal Investigator: 張 文馨 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (30796834)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 齊藤 雄太 東北大学, グリーンクロステック研究センター, 教授 (50738052)
• Project Period (FY): 2023-04-01 – 2026-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥18,850,000 (Direct Cost: ¥14,500,000、Indirect Cost: ¥4,350,000); Fiscal Year 2025: ¥5,330,000 (Direct Cost: ¥4,100,000、Indirect Cost: ¥1,230,000); Fiscal Year 2024: ¥5,200,000 (Direct Cost: ¥4,000,000、Indirect Cost: ¥1,200,000); Fiscal Year 2023: ¥8,320,000 (Direct Cost: ¥6,400,000、Indirect Cost: ¥1,920,000)
• Keywords: Ge / Sb2Te3 / Bi2Te3 / vdW接合 / GeOI (111)

Outline of Research at the Start

本研究では、高度な選択エッチング技術、転写技術及びvan der Waals(vdW)コンタクト形成技術を駆使し、極薄Ge(111)ナノシートチャネルトランジスタの超高性能化の設計指針を提案する。原子レベルで精密制御されたGeナノシート構造の電子・ホール輸送の学術的理解と、ナノシートへのTe系層状物質/Ge(111) vdWコンタクトの系統的探索を追求することで、Ge(111)ナノシートの包括的なキャリア輸送機構を明らかにし、次世代ナノシートCMOS性能の向上に貢献することを目的とする。