原子層堆積ハイブリッド表面の局所ダイナミクスの解明と3Dヘテロデバイスへの応用

• Project/Area Number: 23K26388
• Project/Area Number (Other): 23H01695 (2023)
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund (2024); Single-year Grants (2023)
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 26030:Composite materials and interfaces-related
• Research Institution: Yokohama National University
• Principal Investigator: 井上 史大 横浜国立大学, 大学院工学研究院, 准教授 (00908303)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 多喜川 良 九州大学, システム情報科学研究院, 准教授 (80706846) ; 藤野 真久 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (70532274)
• Project Period (FY): 2023-04-01 – 2026-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥18,720,000 (Direct Cost: ¥14,400,000、Indirect Cost: ¥4,320,000); Fiscal Year 2025: ¥5,330,000 (Direct Cost: ¥4,100,000、Indirect Cost: ¥1,230,000); Fiscal Year 2024: ¥7,150,000 (Direct Cost: ¥5,500,000、Indirect Cost: ¥1,650,000); Fiscal Year 2023: ¥6,240,000 (Direct Cost: ¥4,800,000、Indirect Cost: ¥1,440,000)
• Keywords: ハイブリッド接合 / チップレット / 原子層堆積

Outline of Research at the Start

立体的にデバイスを積層し、さらなる高性能化、高集積化が達成可能な3Dヘテロデバイス技術が大きな注目を浴びている。その集積において最も重要な技術課題はデバイス間の相互通信接合技術である。微細化は接合技術でも非常に進行しており、原子レベルの膜厚コントロールが可能な接合表面形成手法が求められている。本研究のねらいはウエットプロセスであり、かつ電解による制御の不要な化学反応のみの原子層堆積法である、無電解原子層堆積法(EL-ALD)をCu-Cu接合に応用することにある。堆積、接合プロセス両者での局所的なダイナミクスを解明し、新たな原子レベル金属堆積法に加え、それを応用した新規な低温接合法確立を目指す。