低融点金属液相を反応場とした半導体気相成長プロセスの開拓

• Project/Area Number: 23K26432
• Project/Area Number (Other): 23H01739 (2023)
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund (2024); Single-year Grants (2023)
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 26060:Metals production and resources production-related
• Research Institution: Kyoto University
• Principal Investigator: 野瀬 嘉太郎 京都大学, 工学研究科, 准教授 (00375106)
• Project Period (FY): 2023-04-01 – 2026-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥18,590,000 (Direct Cost: ¥14,300,000、Indirect Cost: ¥4,290,000); Fiscal Year 2025: ¥4,680,000 (Direct Cost: ¥3,600,000、Indirect Cost: ¥1,080,000); Fiscal Year 2024: ¥8,970,000 (Direct Cost: ¥6,900,000、Indirect Cost: ¥2,070,000); Fiscal Year 2023: ¥4,940,000 (Direct Cost: ¥3,800,000、Indirect Cost: ¥1,140,000)
• Keywords: 化合物半導体 / 気相成長 / 化学ポテンシャル / 反応場 / 低融点金属

Outline of Research at the Start

本研究では，Sn, Al, Pb. Gaなどの低融点金属を利用した新規気相成長プロセスの開拓に取り組む。従来のフラックス成長（溶液成長）の場合は，これら低融点金属液相における溶解度差を利用するが，本研究の手法は目的の化合物と低融点金属液相との二相共存から，蒸気圧差を利用して化合物を気体として単離することを特徴とする。
本研究ではよく知られた硫化物半導体，リン化物半導体をモデルケースとして，従来の成膜手法との違いを明確にすることで提案するプロセスの有用性を実証し，適用範囲を明確にする。また，従来の方法では成膜が困難な材料への適用を通して，新たな気相成長プロセスとしての展開を図る。