光量子コンピューティング用窒化物半導体モノリシック光集積デバイスに関する研究

Research Project

Project/Area Number	23K26572
Project/Area Number (Other)	23H01879 (2023)
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Allocation Type	Multi-year Fund (2024) Single-year Grants (2023)
Section	一般
Review Section	Basic Section 30020:Optical engineering and photon science-related
Research Institution	Osaka University
Principal Investigator	上向井正裕大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (80362672)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	片山竜二大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (40343115) 谷川智之大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (90633537)
Project Period (FY)	2023-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥18,850,000 (Direct Cost: ¥14,500,000、Indirect Cost: ¥4,350,000) Fiscal Year 2026: ¥2,470,000 (Direct Cost: ¥1,900,000、Indirect Cost: ¥570,000) Fiscal Year 2025: ¥2,470,000 (Direct Cost: ¥1,900,000、Indirect Cost: ¥570,000) Fiscal Year 2024: ¥4,940,000 (Direct Cost: ¥3,800,000、Indirect Cost: ¥1,140,000) Fiscal Year 2023: ¥8,970,000 (Direct Cost: ¥6,900,000、Indirect Cost: ¥2,070,000)
Keywords	窒化物半導体 / モノリシック光集積デバイス / 単一モードレーザ / 光子対発生 / 光量子コンピュータ
Outline of Research at the Start	室温動作・長い量子ビット緩和時間などの利点を有する光量子コンピュータは自由空間光学系で実証が進められているが、より実用的なシステムとするためにはこれを構成する励起光源・量子光源・量子回路を小型化・集積化する必要がある。極性窒化物半導体であるGaNは大きな光学非線形性を有し電気光学効果もあることから、同種材料で構成要素のすべてを実現できる。本研究では、小型で実用的な1チップ量子情報処理用GaNモノリシック光集積デバイスを実現することを目的とする。