Materials Development Based on the Assenbly of Boron Vacant Orbitals

• Project/Area Number: 23K26638
• Project/Area Number (Other): 23H01945 (2023)
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund (2024); Single-year Grants (2023)
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 33010:Structural organic chemistry and physical organic chemistry-related
• Research Institution: Tokyo Institute of Technology
• Principal Investigator: 庄子 良晃 東京工業大学, 科学技術創成研究院, 准教授 (40525573)
• Project Period (FY): 2023-04-01 – 2026-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥18,720,000 (Direct Cost: ¥14,400,000、Indirect Cost: ¥4,320,000); Fiscal Year 2025: ¥5,850,000 (Direct Cost: ¥4,500,000、Indirect Cost: ¥1,350,000); Fiscal Year 2024: ¥5,850,000 (Direct Cost: ¥4,500,000、Indirect Cost: ¥1,350,000); Fiscal Year 2023: ¥7,020,000 (Direct Cost: ¥5,400,000、Indirect Cost: ¥1,620,000)
• Keywords: ホウ素 / ルイス酸 / 反応開発 / 光電子機能 / 有機半導体 / 有機エレクトロニクス / 空軌道 / 電子受容体 / 化学結合

Outline of Research at the Start

本研究では、ホウ素の空軌道が重なり合うように集積化したアレイ(=空軌道アレイ)を構築し、それらの性質を活かした新たな物質・エネル ギー変換材料の開拓に取り組む。空軌道アレイは、新反応、新機能、新現象を探求するための格好のプラットフォームを提供すると期待できる ものの、その設計指針は未開拓である。本研究を通じて、ホウ素空軌道を自在にエンジニアリングする分子設計と手法を確立し、新機能材料創 出を目指す。