Project/Area Number |
23KF0221
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Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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Allocation Type | Multi-year Fund |
Section | 外国 |
Review Section |
Basic Section 35020:Polymer materials-related
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Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
Principal Investigator |
道信 剛志 東京工業大学, 物質理工学院, 教授 (80421410)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
ZHAO KEXIANG 東京工業大学, 物質理工学院, 外国人特別研究員
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Project Period (FY) |
2023-11-15 – 2026-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2023)
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Budget Amount *help |
¥2,100,000 (Direct Cost: ¥2,100,000)
Fiscal Year 2025: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
Fiscal Year 2024: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
Fiscal Year 2023: ¥300,000 (Direct Cost: ¥300,000)
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Outline of Research at the Start |
本研究で実施する内容は、BN含有ヘテロアセンから成るn型半導体高分子の開発と電子デバイスへの応用である。以前の報告で、高分子トランジスタとしては世界最高レベルの電子移動度を達成しているので、その骨格にBN含有ヘテロアセンを導入し、薄膜トランジスタにといて優れた電子輸送特性を実証する。
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