Project/Area Number |
23KF0223
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Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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Allocation Type | Multi-year Fund |
Section | 外国 |
Review Section |
Basic Section 26040:Structural materials and functional materials-related
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Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
Principal Investigator |
道信 剛志 東京工業大学, 物質理工学院, 教授 (80421410)
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Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
HE WANER 東京工業大学, 物質理工学院, 外国人特別研究員
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Project Period (FY) |
2023-11-15 – 2026-03-31
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Project Status |
Granted (Fiscal Year 2023)
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Budget Amount *help |
¥2,100,000 (Direct Cost: ¥2,100,000)
Fiscal Year 2025: ¥800,000 (Direct Cost: ¥800,000)
Fiscal Year 2024: ¥800,000 (Direct Cost: ¥800,000)
Fiscal Year 2023: ¥500,000 (Direct Cost: ¥500,000)
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Outline of Research at the Start |
本研究内容は、ドナーアクセプター型架橋高分子膜やペロブスカイト量子ドットを電荷捕捉層としたトランジスタメモリの開発であり、デバイス構造の最適化によって人工シナプスや光検出器へ展開する。ドナーアクセプター型架橋高分子膜とペロブスカイト量子ドット各々をトランジスタメモリの電荷捕捉層に使用することで、有機無機複合型の次世代デバイスを実現する。最終的には、新規デバイスの動作機構を明らかにすることで、人工シナプスや光検出器の機能を最適化する。
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