Strain and valence band structure in the subsurface region of strained semiconductors

• Project/Area Number: 24360018
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Partial Multi-year Fund
• Section: 一般
• Research Field: Thin film/Surface and interfacial physical properties
• Research Institution: Nara Institute of Science and Technology
• Principal Investigator: TAKEDA SAKURA 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 助教 (30314537)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): TAKAHASHI Toshio 東京大学, 物性研究所, 教授 (20107395)
• Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha): SHIRASAWA Tetsutoh 東京大学, 物性研究所, 助教 (80451889)
• Project Period (FY): 2012-04-01 – 2015-03-31
• Project Status: Completed (Fiscal Year 2014)
• Budget Amount: ¥15,730,000 (Direct Cost: ¥12,100,000、Indirect Cost: ¥3,630,000); Fiscal Year 2014: ¥2,080,000 (Direct Cost: ¥1,600,000、Indirect Cost: ¥480,000); Fiscal Year 2013: ¥2,860,000 (Direct Cost: ¥2,200,000、Indirect Cost: ¥660,000); Fiscal Year 2012: ¥10,790,000 (Direct Cost: ¥8,300,000、Indirect Cost: ¥2,490,000)
• Keywords: 歪みシリコン / ARPES / XRD / LEED I-V / ラマン / １軸歪み / ２軸歪み / 歪み効果 / 歪み半導体 / バンド構造 / 角度分解光電子分光 / ラマン分光 / 超高真空 / Raman / バンド分散 / 価電子帯 / 二軸引っ張り歪みシリコン / 一軸引っ張り歪みシリコン / X線回折法 / 角度分解光電子分光法

Outline of Final Research Achievements

Strained Si is widely used in modern MOSFET to enhance carrier mobility. Theoretical studies attribute the mechanism of the mobility enhancement to band deformation by strain. We experimentally investigated the relationship between the strain and the band deformation by measuring strain and the band dispersion precisely. In the case of biaxially strained Si on SiGe alloy, we found that the epitaxial strain is retained through the strained Si layer to the very surface by XRD and LEED I-V measurements. For the strain evaluation of uniaxially strained Si by mechanical stress application in UHV, we developed UHV Raman system. Using the system, we found that the mechanically applied uniaxial stress is distributed inhomogeneously in the sample. The band structure of uni- and bi-axial strained Si was investigated by ARPES, and deformation of the band structure was observed.

Research Products

• [Journal Article] Structure determination of the clean (001) surface of strained Si on Si1-xGex (2015)
  • Author(s): Tetsuroh Shirasawa, Sakura Nishino Takeda and Toshio Takahashi
  • Journal Title: Applied Physics Letters Volume: 106 Issue: 6 Pages: 061604-061604
  • DOI: 10.1063/1.4908249
  • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
• [Journal Article] Effect of the Flash Annealing on the Impurity Distribution and the Electronic Structure in the Inversion Layer (2015)
  • Author(s): Tomohiro Sakata, Sakura N. Takeda, Nur Idayu Ayob, Hiroshi Daimon
  • Journal Title: e-Journal of Surface Science and Nanotechnology Volume: 13 Issue: 0 Pages: 75-78
  • DOI: 10.1380/ejssnt.2015.75
  • NAID: 130004933838
  • ISSN: 1348-0391
  • Peer Reviewed / Open Access / Acknowledgement Compliant
• [Journal Article] Unusual energy separation of subbands in Si (111) p-channels induced by In adsorption (2015)
  • Author(s): Nur Idayu Ayob, Sakura N. Takeda, Tomohiro Sakata, Masaaki Yoshikawa, Makoto Morita and Hiroshi Daimon
  • Journal Title: Japanese Journal of Applied Physics Volume: 54
  • Peer Reviewed / Acknowledgement Compliant
• [Journal Article] 歪み結晶の歪み量と電子バンド分散の同時測定を目指した UHVラマン分光の開発 (2015)
  • Author(s): 武田さくら・久米田晴香・前田昂平・桃野浩樹・ 中尾敏臣・竹内克行・アルトニアン・坂田智裕・大門寛
  • Journal Title: 表面科学 Volume: 37
  • NAID: 130005099007
  • Peer Reviewed / Open Access / Acknowledgement Compliant
• [Journal Article] System to measure accurate temperature dependence of electric conductivity down to 20 K in ultrahigh vacuum (2013)
  • Author(s): C. Sakai, S. N. Takeda, and H. Daimon
  • Journal Title: Review of Scientific Instruments Volume: 84, 075103 Issue: 7 Pages: 6-6
  • DOI: 10.1063/1.4812336
  • Peer Reviewed
• [Journal Article] Lattice distortion of porous Si by Li absorption using two-dimensional photoelectron diffraction (2013)
  • Author(s): E. S. Nouh, S. N. Takeda, F. Matsui, K. Hattori, T. Sakata, N. Maejima, H. Matsui, H. Matuda, T. Matsushita. L. Toth, M. Morita, S. Kitagawa, R. Ishii, M. Fujita, K. Yasuda, H. Daimon
  • Journal Title: Journal of Materials Science Volume: 49 Issue: 1 Pages: 35-42
  • DOI: 10.1007/s10853-013-7799-2
  • Peer Reviewed
• [Presentation] サブバンドから探る半導体反転層形状 (2015)
  • Author(s): 武田さくら
  • Organizer: 相互作用が生み出す新奇現象に関する研究会
  • Place of Presentation: キャンパスイノベーションセンタ-（東京都港区）
  • Year and Date: 2015-03-25
  • Invited
• [Presentation] In吸着Si(111)表面における振動現象 (2015)
  • Author(s): 武田さくら，田中友惟，大門寛
  • Organizer: 日本物理学会第70回年次大会
  • Place of Presentation: 早稲田大学（東京都新宿区）
  • Year and Date: 2015-03-21 – 2015-03-24
• [Presentation] Bi吸着Ge(001)清浄表面の構造変化と電子状態の観察 (2015)
  • Author(s): 入江広一郎，武田さくら，中尾敏臣，竹内克行，前田昂平，アルトニアン，坂田智裕，大門寛
  • Organizer: 日本物理学会第70回年次大会
  • Place of Presentation: 早稲田大学（東京都新宿区）
  • Year and Date: 2015-03-21 – 2015-03-24
• [Presentation] PbおよびIn吸着Ge(001)表面における表面近傍の電子状態 (2015)
  • Author(s): 坂田智裕，武田さくら，入江広一郎，大門寛
  • Organizer: 日本物理学会第70回年次大会
  • Place of Presentation: 早稲田大学（東京都新宿区）
  • Year and Date: 2015-03-21 – 2015-03-24
• [Presentation] アルカリ金属吸着によるBi2212超伝導体のTc変化観測 (2015)
  • Author(s): 酒井智香子，大西洋平，桑子敦，吉川雅章，武田さくら，大門寛
  • Organizer: 日本物理学会第70回年次大会
  • Place of Presentation: 早稲田大学（東京都新宿区）
  • Year and Date: 2015-03-21 – 2015-03-24
• [Presentation] Pb及びIn吸着Ge(001)表面における表面近傍の電子状態 (2015)
  • Author(s): 坂田 智裕、武田 さくら、入江 広一郎、大門 寛
  • Organizer: 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: 東海大学湘南キャンパス（神奈川県平塚市）
  • Year and Date: 2015-03-11 – 2015-03-15
• [Presentation] Band Bending Model Reproducing Si(111) Hole Subband Levels Measured by ARPES (2015)
  • Author(s): Idayu Nur, Sakura Nishino Takeda, Takeshi J. Inagaki, Hiroshi Daimon
  • Organizer: 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: 東海大学湘南キャンパス（神奈川県平塚市）
  • Year and Date: 2015-03-11 – 2015-03-14
• [Presentation] 「バンド分散への歪み効果」測定システムにおけるUHV高分解能ラマン分光の開発 (2015)
  • Author(s): 武田 さくら、久米田 晴香、前田 昂平、桃野 浩樹、竹内 克行、中尾 敏臣、Ang Artoni K. R.、坂田 智裕、大門 寛
  • Organizer: 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • Place of Presentation: 東海大学湘南キャンパス（神奈川県平塚市）
  • Year and Date: 2015-03-11 – 2015-03-14
• [Presentation] 角度分解光電子分光(APRES)を用いたBi吸着Ge(001)表面のバンド分散構造 (2015)
  • Author(s): 入江 広一郎, 武田 さくら, 坂田 智裕, Artoni Kevin Roquero Ang, 竹内 克行, 中尾 敏臣, 桃野 浩樹, 前田 昂平, 大門 寛
  • Organizer: ゲートスタック研究会
  • Place of Presentation: 東レ総合研修センタ－（静岡県三島市）
  • Year and Date: 2015-01-29 – 2015-01-30
• [Presentation] Empirical Potential Profile Model for Unusual Energy Separation of Hole Subbands in Si (111) (2015)
  • Author(s): Nur Idayu Ayob, Sakura N. Takeda, Takeshi J. Inagaki, Hiroshi Daimon
  • Organizer: ゲートスタック研究会
  • Place of Presentation: 東レ総合研修センタ－（静岡県三島市）
  • Year and Date: 2015-01-29 – 2015-01-30
• [Presentation] Synergetics on a semiconductor surface (2015)
  • Author(s): Sakura Nishino Takeda
  • Organizer: Symposium on Surface and Nano Science 2014
  • Place of Presentation: New Furano Prince Hotel, Hokkaido
  • Year and Date: 2015-01-14 – 2015-01-18
• [Presentation] 半導体表面での構造振動現象 (2014)
  • Author(s): 武田さくら、田中友惟、大門寛
  • Organizer: 非線形反応と協同現象研究会
  • Place of Presentation: 東京電機大学東京千住キャンパス（東京都足立区）
  • Year and Date: 2014-12-06
• [Presentation] 高分解能In situラマン分光の開発 (2014)
  • Author(s): 武田さくら、久米田晴香、前田昂平、桃野浩樹、竹内克行、中尾敏臣、Artoni K. R. Ang､坂田智裕、大門寛
  • Organizer: 表面界面スペクトロスコピー
  • Place of Presentation: 関西セミナーハウス（京都府京都市）
  • Year and Date: 2014-12-05 – 2014-12-06
• [Presentation] 半導体表面でのシナジェティクス-金属吸着Si(111)表面 (2014)
  • Author(s): 武田さくら、田中友惟、大門寛
  • Organizer: 「相互作用が生み出す新奇現象」研究会
  • Place of Presentation: キャンパスイノベーションセンター（東京都港区）
  • Year and Date: 2014-12-02
  • Invited
• [Presentation] Bi吸着SiC(0001)上のグラフェンの表面超構造と電子状態の観測 (2014)
  • Author(s): 竹内克行、武田さくら、中尾敏臣、前田昂平、桃野浩樹、坂田智裕、ケビンアルトニー、大門寛
  • Organizer: 表面科学会
  • Place of Presentation: くにびきメッセ（島根県松江市）
  • Year and Date: 2014-11-06 – 2014-11-08
• [Presentation] Bi吸Ge(001)表面の相図とバンド分散構造 (2014)
  • Author(s): 入江広一郎、武田さくら、坂田智裕、大門寛
  • Organizer: 表面科学会
  • Place of Presentation: くにびきメッセ（島根県松江市）
  • Year and Date: 2014-11-06 – 2014-11-08
• [Presentation] 金属吸着（Pb, In）によるGe(001)氷面近傍の電子状態の変化 (2014)
  • Author(s): 坂田智裕、武田さくら、入江広一郎、大門寛
  • Organizer: 表面科学会
  • Place of Presentation: くにびきメッセ（島根県松江市）
  • Year and Date: 2014-11-06 – 2014-11-08
• [Presentation] 歪み結晶の歪み量と電子バンド分散構造の同時測定を目指したIn situ ラマン分光の開発 (2014)
  • Author(s): 武田さくら、久米田晴香、前田昂平、桃野浩樹、中尾敏臣、竹内克行、アルトニアン、坂田智裕、大門寛
  • Organizer: 表面科学会
  • Place of Presentation: くにびきメッセ（島根県松江市）
  • Year and Date: 2014-11-06 – 2014-11-08
• [Presentation] Measurements of Atomic and Electronic structures on 1ML Bi-adsorbed Si(001) surface (2014)
  • Author(s): H. Nakao, S.N. Takeda, K. Kitagawa, M. Morita, K. Takeuchi, K. Maeda, H. Momono, A.K.R. Ang, T. Sakata and H. Daimon
  • Organizer: The 7th International Symposium on Surface Science
  • Place of Presentation: Kunibiki Messe, Shimane
  • Year and Date: 2014-11-06
• [Presentation] Measurement of UHV-Raman spectroscopy on strained Si (2014)
  • Author(s): H. Momono, S.N. Takeda, H. Kumeda, K. Maeda, K. Takeuchi, H. Nakao, A. Kevin. R. Ang, T. Sakata, and H. Daimon
  • Organizer: The 7th International Symposium on Surface Science
  • Place of Presentation: Kunibiki Messe, Shimane
  • Year and Date: 2014-11-02 – 2014-11-06
• [Presentation] Subband calculation using empirical potential profile of Si (111) 4×1-In space charge layer (2014)
  • Author(s): N.I. Ayob, S.N. Takeda, T.J. Inagaki and H. Daimon
  • Organizer: The 7th International Symposium on Surface Science
  • Place of Presentation: Kunibiki Messe, Shimane
  • Year and Date: 2014-11-02 – 2014-11-06
• [Presentation] Metal Adsorption Effect on the Band Structure of Ge(001) within Subsurface Region (2014)
  • Author(s): T. Sakata, S.N. Takeda, K. Irie and H. Daimon
  • Organizer: The 7th International Symposium on Surface Science
  • Place of Presentation: Kunibiki Messe, Shimane
  • Year and Date: 2014-11-02 – 2014-11-06
• [Presentation] Surface atomic and electronic structures of Ge(001) covered by Bismuth (2014)
  • Author(s): K. Irie, S.N.Takeda, T.Sakata and H. Daimon
  • Organizer: The 7th International Symposium on Surface Science
  • Place of Presentation: Kunibiki Messe, Shimane
  • Year and Date: 2014-11-02 – 2014-11-06
• [Presentation] RHEED and ARPES study of Si(110)3x6-Bi (2014)
  • Author(s): A.K.R. Ang, S.N. Takeda, T. Sakata and H. Daimon
  • Organizer: The 7th International Symposium on Surface Science
  • Place of Presentation: Kunibiki Messe, Shimane
  • Year and Date: 2014-11-02 – 2014-11-06
• [Presentation] 清浄Ge(001) および金属(Pb, In) 吸着Ge(001) における電子状態 (2014)
  • Author(s): 坂田智裕，武田さくら，北川幸祐，大門 寛
  • Organizer: 第75回応用物理学会秋季学術講演会
  • Place of Presentation: 北海道大学（北海道札幌市）
  • Year and Date: 2014-09-17 – 2014-09-20
• [Presentation] Pb吸着Ge(001) 表面における表面超構造と電子状態の解明 (2014)
  • Author(s): 坂田智裕，武田さくら，大門寛
  • Organizer: 日本物理学会2014年秋季大会
  • Place of Presentation: 中部大学（愛知県春日井市）
  • Year and Date: 2014-09-07 – 2014-09-10
• [Presentation] 表面共鳴状態とGeバンドのバンド間相互作用 (2014)
  • Author(s): 坂田智裕，武田さくら，大門寛
  • Organizer: 日本物理学会2014年秋季大会
  • Place of Presentation: 中部大学（愛知県春日井市）
  • Year and Date: 2014-09-07 – 2014-09-10
• [Presentation] 歪み量測定のための高分解能In situラマン分光の開発 (2014)
  • Author(s): 武田さくら，久米田晴香，前田昂平，桃野浩樹，竹内克行，中尾敏臣，Artoni K. R. Ang，坂田智裕，大門寛
  • Organizer: 日本物理学会2014年秋季大会
  • Place of Presentation: 中部大学（愛知県春日井市）
  • Year and Date: 2014-09-07 – 2014-09-10
• [Presentation] Empirical potential profile of Si (111) 4×1-In space charge layer for subband calculation (2014)
  • Author(s): Nur Idayu Ayob，Sakura N. Takeda，Takeshi J. Inagaki，Hiroshi Daimon
  • Organizer: 日本物理学会2014年秋季大会
  • Place of Presentation: 中部大学（愛知県春日井市）
  • Year and Date: 2014-09-07 – 2014-09-10
• [Presentation] Bismuth on Si(110): RHEED and ARPES invesitgation (2014)
  • Author(s): Artoni Kevin R. Ang，Sakura N. Takeda，Tomohiro Sakata，Kosuke Kitagawa，Hiroshi Daimon
  • Organizer: 日本物理学会2014年秋季大会
  • Place of Presentation: 中部大学（愛知県春日井市）
  • Year and Date: 2014-09-07 – 2014-09-10
• [Presentation] UHVラマンを用いた機械的1軸歪みSiの歪み分布測定 (2014)
  • Author(s): 桃野浩樹，武田さくら，久米田晴香，前田昂平，竹内克行，中尾敏臣，Artoni K. R. Ang，坂田智裕，大門寛
  • Organizer: 日本物理学会2014年秋季大会
  • Place of Presentation: 中部大学（愛知県春日井市）
  • Year and Date: 2014-09-07 – 2014-09-10
• [Presentation] Bi/Si(001)の表面超構造と電子状態の観測 (2014)
  • Author(s): 中尾敏臣，武田さくら，北川幸祐，森田誠，竹内克行，前田昂平，桃野浩樹，Artoni K. R. Ang，坂田智裕，大門寛
  • Organizer: 日本物理学会2014年秋季大会
  • Place of Presentation: 中部大学（愛知県春日井市）
  • Year and Date: 2014-09-07 – 2014-09-10
• [Presentation] 機械的1軸歪みグラフェンのUHVラマン測定 (2014)
  • Author(s): 前田昂平，武田さくら，久米田晴香，桃野浩樹，中尾敏臣，竹内克行，坂田智裕，Artoni K. R. Ang，大門寛
  • Organizer: 日本物理学会2014年秋季大会
  • Place of Presentation: 中部大学（愛知県春日井市）
  • Year and Date: 2014-09-07 – 2014-09-10
• [Presentation] Angle Resolved Photoemission Spectroscopy of Bi/Si(110) (2014)
  • Author(s): Artoni Kevin R. Ang, Sakura N. Takeda, Tomohiro Sakata, Kosuke Kitagawa, Hiroshi Daimon
  • Organizer: 30th European Conference on Surface Science (ECOSS 30)
  • Place of Presentation: Kervansaray Lara Convention Center, Istanbul, Turkey
  • Year and Date: 2014-08-31 – 2014-09-05
• [Presentation] Raman spectroscopy on Uni-axially Strained Silicon (2014)
  • Author(s): S. N. Takeda, H. Kumeda, K. Maeda, H. Momono, K. Takeuchi, H. Nakao, K. Kitagawa, T. Sakata, A. K. R. Ang, H. Daimon
  • Organizer: Symposium on Surface and Nano Science 2014
  • Place of Presentation: New Furano Prince Hotel, (Hokkaido･Furano)
• [Presentation] Electronic Structure on Pb-Adsorbed Ge(001) (2014)
  • Author(s): T. Sakata, S. N. Takeda, Artoni Kevin Roquero Ang, K. Kitagawa, H. Kumeda, K. Koku1, H. Nakao, K. Takeuchi, H. Momono, K. Maeda, H. Daimon
  • Organizer: Symposium on Surface and Nano Science 2014
  • Place of Presentation: New Furano Prince Hotel, (Hokkaido･Furano)
• [Presentation] 高分解能角度分解光電子分光法によるGe(100)表面近傍のバンド構造の解明 (2014)
  • Author(s): 坂田智裕、武田さくら、小久井一樹、Artoni Kevin Roquero Ang、竹内克行、中尾敏臣、前田昂平、桃野浩樹、北川幸佑、久米田晴香、大門寛
  • Organizer: ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－（第19回)
  • Place of Presentation: ニューウェルシティ湯河原（静岡県･熱海市）
• [Presentation] Silicon on insulatorの超薄膜化プロセス、電子状態測定への試み (2014)
  • Author(s): 小久井一樹、武田さくら、坂田智裕、Artoni Kevin Roquero Ang、竹内克行、中尾敏臣、前田昂平、桃野浩樹、北川幸佑、久米田晴香、大門寛、堀田昌宏、菱谷大輔、佐野泰久
  • Organizer: ゲートスタック研究会－材料・プロセス・評価の物理－（第19回)
  • Place of Presentation: ニューウェルシティ湯河原（静岡県･熱海市）
• [Presentation] 歪み印加マニピュレータの開発 (2013)
  • Author(s): 武田さくら, 坂田智裕, 山谷寛, Nur Idayu Ayob, 北川幸祐, 小久井一樹, 久米田晴香, 谷川洋平, 大門寛
  • Organizer: 日本物理学会
  • Place of Presentation: 広島大学東広島キャンパス
  • Year and Date: 2013-03-28
• [Presentation] Initial stage of metal adsorption on Si(lll): Heal time monitoring by R HEED (2013)
  • Author(s): S. N. Takeda, Y. Ohnishi, Y. Tanaka, S. Yasui, K.Matsuta, K. Shima, H. Daimon
  • Organizer: Symposium on Surface and Nanoscience 2013
  • Place of Presentation: 山形県山形市蔵王(招待講演)
  • Year and Date: 2013-01-17
• [Presentation] 角度分解光電子分光によるPb吸着Ge(001)表面におけるバンド分散構造の観察 (2013)
  • Author(s): 坂田智裕，武田さくら，山谷寛，ヌルイダユ，北川幸祐，久米田晴香，小久井一樹，大門寛
  • Organizer: 日本物理学会秋季大会
  • Place of Presentation: 徳島大学 (徳島県･徳島市）
• [Presentation] 超薄膜Silicon on insulator(SOI)の表面構造と電子状態 (2013)
  • Author(s): 小久井一樹，武田さくら，坂田智裕，北川幸祐，久米田晴香，大門寛
  • Organizer: 日本物理学会秋季大会
  • Place of Presentation: 徳島大学(徳島県･徳島市）
• [Presentation] 歪み量測定用 UHVラマン装置の構築 (2013)
  • Author(s): 久米田晴香，武田さくら，坂田智裕，北川幸祐，小久井一樹， 竹内克行 ，中尾敏臣 ，前田昂平，桃野浩樹，大門 寛
  • Organizer: 2013年真空・表面科学合同講演会
  • Place of Presentation: つくば国際会議場（茨城県･つくば市）
• [Presentation] Si（001）上Bi薄膜における表面電子状態の膜厚依存性 (2013)
  • Author(s): 北川幸祐、武田さくら、森田誠、坂田智裕、久米田晴香、小久井一樹、竹内克行、中尾敏臣、前田昂平、桃野浩樹、大門寛
  • Organizer: 関西薄膜・表面物理セミナー
  • Place of Presentation: グリーンビレッジ交野（大阪府･交野市）
• [Presentation] In/Si(111)のRHEED強度振動 (2012)
  • Author(s): 田中友惟、武田さくら、大門寛
  • Organizer: 関西薄膜・表面物理セミナー
  • Place of Presentation: 神戸セミナーハウス、神戸市
  • Year and Date: 2012-11-24
• [Presentation] Observation of electronic structure of Pb/Ge(001)by angle resolved photoelectron spectroscopy (2012)
  • Author(s): T. Sakata, S. N. Takeda, K. Yasuda, N. I. Ayob, H, Yamatani, H. Daimon
  • Organizer: 2012 GIST-NAIST-NCTU Joint Symposium on Interdisciplinary Nanoscience and beyond
  • Place of Presentation: National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan
  • Year and Date: 2012-11-20
• [Presentation] ARPES measurement of valence band structure in strained silicon (2012)
  • Author(s): S. N. Takeda, H. Tabata, T. Sakata, N. I. Ayob, N. Maejima, H. Matsuoka, H. Daimon, T. Inaoka, T. Tezuka, T. Katayama, M. Yoshimaru
  • Organizer: 12th International Conference on Electron Spectro scopy andStructure
  • Place of Presentation: Saint Malo, France
  • Year and Date: 2012-09-20
• [Presentation] Electronic structure of Pb-absorbed Ge(OOl) by angle resolved photoelectron spectroscopy (2012)
  • Author(s): T. Sakata, S. N. Takeda, N. I. Ayob, H. Yamatani.H. Daimon
  • Organizer: 12th International Conference on Electron Spectroscopy and Structure
  • Place of Presentation: Saint Malo, France
  • Year and Date: 2012-09-20
• [Presentation] Effect of biaxial tensile strain on silicon valence band dispersion (2012)
  • Author(s): S. N. Takeda, H. Tabata, T. Sakata, N. I. Ayob, N. Maejima, H. Matsuoka, T. Inaoka, K. Arima, T. Tezuka, T. Katayama, M. Yoshimaru, T. Imamura, H. Daimon
  • Organizer: 31st International Conference on the Physics of Semiconductors
  • Place of Presentation: Zurich, Switzerland
  • Year and Date: 2012-08-02
• [Presentation] 「メタシリコン：量子化と歪みでどこまで変わるか」
  • Author(s): 武田さくら
  • Organizer: メタX（メタエックス） version 3.0
  • Place of Presentation: 奈良先端科学技術大学院大学（奈良県･生駒市
  • Invited
• [Presentation] Effect of Indium Deposition on the Hole Subband of Si (111) Surface
  • Author(s): Nur Idayu Ayob, Sakura Nishino Takeda, Makoto Morita, Tomohiro Sakata and Hiroshi Daimon
  • Organizer: 2013 JSAP-MRS Joint Symposium
  • Place of Presentation: Doshisha University, Kyoto･ Kyotanabe)
• [Presentation] フラッシュアニールによるドーパント分布変化が及ぼす表面近傍の電子状態への影響
  • Author(s): 坂田 智裕、武田さくら、大門寛
  • Organizer: 第2回 表面科学の新展開を探る研究会
  • Place of Presentation: 奈良先端科学技術大学院大学（奈良県･生駒市
• [Remarks] SNT Projects
  • URL: https://sites.google.com/site/sntprojects/
• [Remarks]
  • URL: https://sites.google.com/site/sntprojects/Projects/strain