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Preparation of low-temperature SiNx films by using new deposition method applicable to 3-dimensional LSI

Research Project

Project/Area Number 24560361
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Allocation TypeMulti-year Fund
Section一般
Research Field Electronic materials/Electric materials
Research InstitutionKitami Institute of Technology

Principal Investigator

TAKEYAMA MAYUMI  北見工業大学, 工学部, 准教授 (80236512)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) NOYA Atsushi  北見工業大学, 工学部, 教授 (60133807)
Co-Investigator(Renkei-kenkyūsha) MACHIDA Hideaki   (30535670)
Research Collaborator SATO Masaru  
NAKAMURA Tomoji  
NAKATA Yoshihiro  
KOBAYASHI Yasushi  
Project Period (FY) 2012-04-01 – 2015-03-31
Project Status Completed (Fiscal Year 2014)
Budget Amount *help
¥5,460,000 (Direct Cost: ¥4,200,000、Indirect Cost: ¥1,260,000)
Fiscal Year 2014: ¥1,040,000 (Direct Cost: ¥800,000、Indirect Cost: ¥240,000)
Fiscal Year 2013: ¥1,820,000 (Direct Cost: ¥1,400,000、Indirect Cost: ¥420,000)
Fiscal Year 2012: ¥2,600,000 (Direct Cost: ¥2,000,000、Indirect Cost: ¥600,000)
Keywords薄膜プロセス / シリコン貫通ビア / 3次元集積回路 / 低温プロセス / 絶縁バリヤ / SiNx膜 / 薄膜 / 絶縁膜 / TSV
Outline of Final Research Achievements

In the through silicon via process for the 3-dimensional LSI, SiNx films of high density are strongly required to prepare at low temperatures. As a solution of this issue, we propose the use of SiNx films deposited by reactive sputtering. We can obtain the sputtered SiNx films of high density by the deposition without substrate heating. This film tolerated annealing at 700℃ for 1 h without Cu diffusion. It implies that the low-temperature deposited high density SiNx film is a useful insulating barrier. In addition, the reason why the PECVD-SiNx films show low density is clarified by comparing the characteristics of SiNx films by sputtering and PECVD methods.

Report

(4 results)
  • 2014 Annual Research Report   Final Research Report ( PDF )
  • 2013 Research-status Report
  • 2012 Research-status Report
  • Research Products

    (31 results)

All 2015 2014 2013 Other

All Journal Article (5 results) (of which Peer Reviewed: 5 results,  Open Access: 3 results,  Acknowledgement Compliant: 1 results) Presentation (26 results) (of which Invited: 1 results)

  • [Journal Article] 3D/2.5D-IC TSVに向けた低温成膜SiNxの特性評価2015

    • Author(s)
      小林 靖志,中田 義弘,中村 友二,武山 真弓,佐藤 勝,野矢 厚
    • Journal Title

      電気学会論文誌C

      Volume: 135

    • NAID

      130005086248

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  • [Journal Article] TSVプロセスに適用可能な反応性スパッタ法を用いたSiNx膜の低温作製2015

    • Author(s)
      佐藤 勝,武山 真弓,小林 靖志,中田 義弘,中村 友二,野矢 厚
    • Journal Title

      電気学会論文誌C

      Volume: 135

    • NAID

      130005086247

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  • [Journal Article] Characterization of silicon nitride thin films deposited by reactive sputtering and plasma-enhanced CVD at low temperatures2014

    • Author(s)
      M.B.Takeyama, M.Sato, Y.Nakata, Y.Kobayashi, T.Nakamura, and A.Noya
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys.

      Volume: 53 Issue: 5S2 Pages: 05GE01-05GE01

    • DOI

      10.7567/jjap.53.05ge01

    • NAID

      210000143950

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    • Author(s)
      M.B.Takeyama, M.Sato, E.Aoyagi, and A.Noya
    • Journal Title

      Jpn. J. Appl. Phys.

      Volume: 53 Issue: 2S Pages: 02BC05-02BC05

    • DOI

      10.7567/jjap.53.02bc05

    • NAID

      210000143353

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      佐藤 勝,武山 真弓,青柳英二,野矢 厚
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      電子情報通信学会論文誌C

      Volume: J97-C Pages: 46-47

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      立命館大学(滋賀県草津市)
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      立命館大学(滋賀県草津市)
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      武山 真弓,佐藤 勝,小林 靖志,中田 義弘,中村 友二, 野矢 厚
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      電子情報通信学会電子部品・材料研究会
    • Place of Presentation
      信州大学(長野県長野市)
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      東京大学弥生会館(東京都文京区)
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      武山 真弓,佐藤 勝,野矢 厚,小林 靖志,中田 義弘,中村 友二
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      応用物理学会秋季学術講演会
    • Place of Presentation
      北海道大学(北海道札幌市)
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      2014-09-17 – 2014-09-20
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      佐藤 勝,武山 真弓,小林 靖志,中田 義弘,中村 友二,野矢 厚
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      電気学会 電子・情報・システム部門大会
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      島根大学(島根県松江市)
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      小林 靖志,中田 義弘,中村 友二,武山 真弓,佐藤 勝,野矢 厚
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      電気学会 電子・情報・システム部門大会
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      島根大学(島根県松江市)
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      2014-09-03 – 2014-09-06
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      武山 真弓,佐藤 勝,小林 靖志,中田 義弘,中村 友二,野矢 厚
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      新潟
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      釧路
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      佐藤 勝,武山真弓,青柳 英二,野矢 厚
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      Cat-CVD研究会
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      岐阜
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      The 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2013)
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      金沢
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      米沢
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      長岡
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Published: 2013-05-31   Modified: 2019-07-29  

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