| Project/Area Number |
24H00035
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Review Section |
Broad Section C
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| Research Institution | Hiroshima University |
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Principal Investigator |
黒木 伸一郎 広島大学, 半導体産業技術研究所, 教授 (70400281)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
田中 保宣 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 研究センター長 (20357453)
児島 一聡 国立研究開発法人産業技術総合研究所, エネルギー・環境領域, 研究チーム長 (40371041)
大島 武 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子技術基盤研究所 量子機能創製研究センター, センター長 (50354949)
武山 昭憲 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子技術基盤研究所 量子機能創製研究センター, 主幹研究員 (50370424)
牧野 高紘 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構, 高崎量子技術基盤研究所 量子機能創製研究センター, 主幹研究員 (80549668)
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| Project Period (FY) |
2024-04-01 – 2029-03-31
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| Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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| Budget Amount *help |
¥187,070,000 (Direct Cost: ¥143,900,000、Indirect Cost: ¥43,170,000)
Fiscal Year 2025: ¥40,820,000 (Direct Cost: ¥31,400,000、Indirect Cost: ¥9,420,000)
Fiscal Year 2024: ¥50,700,000 (Direct Cost: ¥39,000,000、Indirect Cost: ¥11,700,000)
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| Keywords | SiC / CMOS集積回路 / 耐放射線 / 高温 / ワイドバンドギャップ半導体 |
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| Outline of Research at the Start |
20世紀、人類の活動フロンティアは宇宙などの地理的最前線、大型加速器や核融合などの科学的最前線とともに進んできた。これを大きく支えたのは半導体エレクトロニクスであるが、活動の場がより極限的環境に進み、現在の性能では不足となりつつある。SiC半導体はバンドギャップが広くまた原子間結合が強いため、SiCデバイスは高放射線・高温などの極限環境でも駆動可能である。本研究では、極限環境下でも駆動可能なSiC極限環境エレクトロニクスの研究を進め、これを確立する。特に福島第一原子力発電所廃炉に必要とされるMGy級の耐放射線性を有し、500℃の高温でも動作可能な集積回路構築を目的とする。
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