| Project/Area Number |
24H00230
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Review Section |
Medium-sized Section 15:Particle-, nuclear-, astro-physics, and related fields
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| Research Institution | Tohoku Institute of Technology |
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Principal Investigator |
小野寺 敏幸 東北工業大学, 工学部, 准教授 (10620916)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
野上 光博 東北大学, 工学研究科, 助手 (10847304)
豊川 秀訓 公益財団法人高輝度光科学研究センター, 放射光利用研究基盤センター, 特別嘱託研究職員 (60344397)
人見 啓太朗 東北大学, 工学研究科, 准教授 (60382660)
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| Project Period (FY) |
2024-04-01 – 2029-03-31
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| Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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| Budget Amount *help |
¥49,660,000 (Direct Cost: ¥38,200,000、Indirect Cost: ¥11,460,000)
Fiscal Year 2024: ¥34,450,000 (Direct Cost: ¥26,500,000、Indirect Cost: ¥7,950,000)
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| Keywords | TlBr |
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| Outline of Research at the Start |
半導体放射線イメージングは、半導体SPECTやフォトンカウンティングCTのような先端医療技術を生み出したが、課題は、検出器材料（CdTe、CdZnTe等）の吸収効率の制限による100keV以上のエネルギー帯における検出感度の不足である。臭化タリウム（TlBr）は、前述材料に対して2倍以上の検出効率を持つ化合物半導体である。本研究ではTlBrの高品質結晶成長技術とディープ・サブミクロンCMOSプロセスによる大規模読み出し集積回路技術を利用し、既存材料が抱える感度低下の課題解決と高精細化・大面積化を図り、世界初の100keVから数MeV領域での高精細・高感度フォトンイメージングを実現する。
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