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TlBr半導体による高感度・高精細フォトンイメージングの実現

Research Project

Project/Area Number 24H00230
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

Allocation TypeSingle-year Grants
Section一般
Review Section Medium-sized Section 15:Particle-, nuclear-, astro-physics, and related fields
Research InstitutionTohoku Institute of Technology

Principal Investigator

小野寺 敏幸  東北工業大学, 工学部, 准教授 (10620916)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 野上 光博  東北大学, 工学研究科, 助手 (10847304)
豊川 秀訓  公益財団法人高輝度光科学研究センター, 放射光利用研究基盤センター, 特別嘱託研究職員 (60344397)
人見 啓太朗  東北大学, 工学研究科, 准教授 (60382660)
Project Period (FY) 2024-04-01 – 2029-03-31
Project Status Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help
¥49,660,000 (Direct Cost: ¥38,200,000、Indirect Cost: ¥11,460,000)
Fiscal Year 2025: ¥4,160,000 (Direct Cost: ¥3,200,000、Indirect Cost: ¥960,000)
Fiscal Year 2024: ¥34,450,000 (Direct Cost: ¥26,500,000、Indirect Cost: ¥7,950,000)
KeywordsTlBr
Outline of Research at the Start

半導体放射線イメージングは、半導体SPECTやフォトンカウンティングCTのような先端医療技術を生み出したが、課題は、検出器材料(CdTe、CdZnTe等)の吸収効率の制限による100keV以上のエネルギー帯における検出感度の不足である。臭化タリウム(TlBr)は、前述材料に対して2倍以上の検出効率を持つ化合物半導体である。本研究ではTlBrの高品質結晶成長技術とディープ・サブミクロンCMOSプロセスによる大規模読み出し集積回路技術を利用し、既存材料が抱える感度低下の課題解決と高精細化・大面積化を図り、世界初の100keVから数MeV領域での高精細・高感度フォトンイメージングを実現する。

Report

(1 results)
  • 2024 Comments on the Screening Results

URL: 

Published: 2024-04-05   Modified: 2025-04-17  

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