光環境制御下における非対称構造型半導体のミクロ変形挙動と構造電荷効果の解明

• Project/Area Number: 24H00285
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 18:Mechanics of materials, production engineering, design engineering, and related fields
• Research Institution: The University of Osaka
• Principal Investigator: 中村 篤智 大阪大学, 大学院基礎工学研究科, 教授 (20419675)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2027-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥48,230,000 (Direct Cost: ¥37,100,000、Indirect Cost: ¥11,130,000); Fiscal Year 2025: ¥14,950,000 (Direct Cost: ¥11,500,000、Indirect Cost: ¥3,450,000); Fiscal Year 2024: ¥20,020,000 (Direct Cost: ¥15,400,000、Indirect Cost: ¥4,620,000)
• Keywords: 化合物半導体 / 非対称構造 / 塑性変形挙動 / 力学特性 / 転位 / 構造電荷

Outline of Research at the Start

半導体材料の力学特性が光環境に依存して変化する現象が注目されている．代表者らは，そうした力学特性に及ぼす光の効果を調査する手法を開発し，系統的に検討してきた．その結果，転位の構造電荷が力学特性に大きく影響していることが見えてきた．そして，結晶構造の非対称性が及ぼす影響を理解する必要があるとの認識に至った．そこで本研究では，非対称構造型半導体における転位挙動に及ぼす構造電荷の影響を合理的に調査する．