Academic Platform towards Sub-THz High-Power, Highly-dense integrated circuit

• Project/Area Number: 24H00307
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
• Research Institution: The University of Tokyo
• Principal Investigator: 三田 吉郎 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (40323472)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 高野 恭弥 東京理科大学, 創域理工学部電気電子情報工学科, 准教授 (10822801)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2027-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥48,100,000 (Direct Cost: ¥37,000,000、Indirect Cost: ¥11,100,000); Fiscal Year 2025: ¥15,730,000 (Direct Cost: ¥12,100,000、Indirect Cost: ¥3,630,000); Fiscal Year 2024: ¥16,250,000 (Direct Cost: ¥12,500,000、Indirect Cost: ¥3,750,000)
• Keywords: テラヘルツ応用 / CMOS-MEMS / チップレット / 三次元集積回路

Outline of Research at the Start

サブテラヘルツは人類に残された最後の電磁波領域である。電子回路によって制御できれば、光学的手法と比較して極めてコンパクト、かつ振幅と位相を利用する伝統的無線回路技術の豊富な蓄積を活用したシステムを実現できる。最新技術の課題「弱い送信電力(10mW程度)」を100倍(Wクラス)にまで高める手法の構築を目標とし、実現のためにLSIチップのz軸(面外)方向を効果的に活用した回路集積のための新微細加工プロセス・デバイス技術を創出する。研究成果としてプロセス開発キット(PDK)および、LSIファウンドリ並びにオープンプラットフォームを通じたデバイス試作のワークフローを得、研究者コミュニティを形成する。