Research Project
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
高Al組成AlGaNはGaNやSiC、ダイヤモンド等よりもバンドギャップが大きいため次々世代パワー素子材料として大いに期待されているが、その伝導帯エネルギー準位が高いため効率よく電子を注入することは困難とされてきた。我々は最近、パルス・スパッタ堆積(PSD)法とよばれる新しい手法でGaN結晶を合成すると、ドナー濃度を縮退状態にまで高めることができ、モス - バーシュタイン効果(M-B効果)によって電子のエネルギーを高められることを確認した。本提案では、MB効果によって電子エネルギーを高めた縮退窒化物層を電子注入材料としてもちいることにより、究極の高性能AlGaN電子素子を実現する。