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Hydro-electronics based on Si MOS structure

Research Project

Project/Area Number 24H00312
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

Allocation TypeSingle-year Grants
Section一般
Review Section Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
Research InstitutionShizuoka University

Principal Investigator

小野 行徳  静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (80374073)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 堀 匡寛  静岡大学, 電子工学研究所, 准教授 (50643269)
Project Period (FY) 2024-04-01 – 2028-03-31
Project Status Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help
¥46,540,000 (Direct Cost: ¥35,800,000、Indirect Cost: ¥10,740,000)
Fiscal Year 2025: ¥11,830,000 (Direct Cost: ¥9,100,000、Indirect Cost: ¥2,730,000)
Fiscal Year 2024: ¥10,530,000 (Direct Cost: ¥8,100,000、Indirect Cost: ¥2,430,000)
Keywords電子流体 / シリコン / MOSトランジスタ
Outline of Research at the Start

トランジスタの微細化も間もなく終焉を迎え、集積回路のエネルギー消費削減には革新的なブレークスルーが必要になってきている。しかし、外的散乱過程が電子伝導を支配する限り、エネルギーの散逸は避けがたく、これが集積回路のさらなる発展を阻害する根源的な問題となっている。
本課題では、従来、重要な散乱過程とは認識されていなかった電子・電子散乱に着目し、これに起因する電子流体効果をMOS電子系で発現させこれを制御する。これにより、電子流体が本質的に有するエネルギー保存性という特性を引き出し、従来型デバイスの原理的限界を超えた高駆動力と低消費電力性を有する新原理デバイスを提案し、これを実証する。

Report

(1 results)
  • 2024 Comments on the Screening Results

URL: 

Published: 2024-04-05   Modified: 2025-04-17  

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