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14族混晶半導体におけるフォノンドラッグエンジニアリング

Research Project

Project/Area Number 24H00314
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

Allocation TypeSingle-year Grants
Section一般
Review Section Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
Research InstitutionNagoya University

Principal Investigator

黒澤 昌志  名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (40715439)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 片瀬 貴義  東京科学大学, 総合研究院, 准教授 (90648388)
Project Period (FY) 2024-04-01 – 2029-03-31
Project Status Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help
¥48,230,000 (Direct Cost: ¥37,100,000、Indirect Cost: ¥11,130,000)
Fiscal Year 2025: ¥11,700,000 (Direct Cost: ¥9,000,000、Indirect Cost: ¥2,700,000)
Fiscal Year 2024: ¥19,760,000 (Direct Cost: ¥15,200,000、Indirect Cost: ¥4,560,000)
Keywords14族半導体 / 薄膜 / 結晶成長 / フォノンドラッグ / 熱電変換
Outline of Research at the Start

従来のモデルでは説明できない巨大なフォノンドラッグ効果(格子振動に電子が引きずられて発電する現象)が14族半導体薄膜で発現すること、そのパワーファクタは他を凌駕することを発見したが、室温ではその効果は消失してしまう。この課題解決に向け、本研究ではフォノン輸送及び電子構造のアプローチの観点から、硬い材料、重い有効質量を有する電子、高キャリア密度が期待できる新奇層状物質を用いることで、以前より巨大なパワーファクタを室温にて達成する。電子構造や非調和フォノンの計算技術も新たに導入し、フォノンドラッグを司っている結晶構造、電子・フォノン構造を明確化し、室温フォノンドラッグの新概念構築を目指す。

Report

(1 results)
  • 2024 Comments on the Screening Results

URL: 

Published: 2024-04-05   Modified: 2025-06-20  

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