| Project/Area Number |
24H00314
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Review Section |
Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
黒澤 昌志 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (40715439)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
片瀬 貴義 東京工業大学, 元素戦略MDX研究センター, 准教授 (90648388)
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| Project Period (FY) |
2024-04-01 – 2029-03-31
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| Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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| Budget Amount *help |
¥48,230,000 (Direct Cost: ¥37,100,000、Indirect Cost: ¥11,130,000)
Fiscal Year 2024: ¥19,760,000 (Direct Cost: ¥15,200,000、Indirect Cost: ¥4,560,000)
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| Keywords | 14族半導体 / 薄膜 / 結晶成長 / フォノンドラッグ / 熱電変換 |
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| Outline of Research at the Start |
従来のモデルでは説明できない巨大なフォノンドラッグ効果（格子振動に電子が引きずられて発電する現象）が14族半導体薄膜で発現すること、そのパワーファクタは他を凌駕することを発見したが、室温ではその効果は消失してしまう。この課題解決に向け、本研究ではフォノン輸送及び電子構造のアプローチの観点から、硬い材料、重い有効質量を有する電子、高キャリア密度が期待できる新奇層状物質を用いることで、以前より巨大なパワーファクタを室温にて達成する。電子構造や非調和フォノンの計算技術も新たに導入し、フォノンドラッグを司っている結晶構造、電子・フォノン構造を明確化し、室温フォノンドラッグの新概念構築を目指す。
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