低温ナノ接合界面における光電子機能創成と革新的ヘテロ集積デバイス技術基盤への展開

• Project/Area Number: 24H00318
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 21:Electrical and electronic engineering and related fields
• Research Institution: Kyushu University
• Principal Investigator: 多喜川 良 九州大学, システム情報科学研究院, 准教授 (80706846)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 山口 祐也 国立研究開発法人情報通信研究機構, ネットワーク研究所フォトニックICT研究センター, 主任研究員 (30754791) ; 坂本 高秀 東京都立大学, システムデザイン研究科, 准教授 (70392727) ; 小川 貴史 一般財団法人ファインセラミックスセンター, その他部局等, 主任研究員 (90515561)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥46,670,000 (Direct Cost: ¥35,900,000、Indirect Cost: ¥10,770,000); Fiscal Year 2025: ¥16,900,000 (Direct Cost: ¥13,000,000、Indirect Cost: ¥3,900,000); Fiscal Year 2024: ¥7,410,000 (Direct Cost: ¥5,700,000、Indirect Cost: ¥1,710,000)
• Keywords: 常温接合 / 光電融合 / ハイブリッドボンディング / 計算材料科学 / ヘテロジニアス集積・実装 / 光実装・集積

Outline of Research at the Start

社会全体のデジタル化に向けて、超小型・高速・低消費電力化を実現する光電融合チップが要求されている。本研究では、多彩な異種材料光・電子チップの異機能統合・積層を低温プロセスで可能とする高度な接合界面創成技術を開発し、汎用性の高いヘテロ集積デバイス基盤製造技術として展開する。ここでは、半導体ハイブリッド面上に強誘電体薄膜を搭載した構造からなる光・電子異機能統合型チップの実現に繋げる。