オキシカルコゲナイドの欠陥学理の構築とワイドギャップ半導体の設計・開拓への展開

• Project/Area Number: 24H00376
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 26:Materials engineering and related fields
• Research Institution: Institute of Science Tokyo
• Principal Investigator: 大場 史康 東京科学大学, 総合研究院, 教授 (90378795)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 平松 秀典 東京科学大学, 総合研究院, 教授 (80598136) ; 高橋 亮 東京科学大学, 総合研究院, 助教 (80822311)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥47,580,000 (Direct Cost: ¥36,600,000、Indirect Cost: ¥10,980,000); Fiscal Year 2025: ¥10,660,000 (Direct Cost: ¥8,200,000、Indirect Cost: ¥2,460,000); Fiscal Year 2024: ¥17,160,000 (Direct Cost: ¥13,200,000、Indirect Cost: ¥3,960,000)
• Keywords: ワイドギャップ半導体 / 第一原理計算 / 機械学習 / 点欠陥 / ドーピング

Outline of Research at the Start

理論計算と機械学習によりワイドギャップ半導体として未開拓なオキシカルコゲナイドの特性を俯瞰的に解明する。とくに多元系に特有の多彩な固有点欠陥・ドーパントの局所構造や電子状態を把握し、その知見を指針としたハイスループットスクリーニングにより有望物質を提案し、材料創製へと展開する。以上の一連の研究により、オキシカルコゲナイドの欠陥に関する学理の構築に貢献するとともに、新規ワイドギャップ半導体の開拓を目指す。