半導体結晶における転位量子場と物性

• Project/Area Number: 24H00379
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 26:Materials engineering and related fields
• Research Institution: Nagoya University
• Principal Investigator: 松永 克志 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (20334310)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2027-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥48,620,000 (Direct Cost: ¥37,400,000、Indirect Cost: ¥11,220,000); Fiscal Year 2025: ¥18,070,000 (Direct Cost: ¥13,900,000、Indirect Cost: ¥4,170,000); Fiscal Year 2024: ¥23,010,000 (Direct Cost: ¥17,700,000、Indirect Cost: ¥5,310,000)
• Keywords: 転位 / 電子構造 / すべり運動 / 電子物性 / 光物性

Outline of Research at the Start

半導体やセラミックスに用いられる無機結晶は、強固な化学結合性ゆえに、室温で強度は高いが脆い性質をもつとされてきた。しかし近年の硫化亜鉛結晶に関する研究により、周囲の光環境が結晶の機械的性質に大きな影響を与えていることが判明した。しかし、同現象がどのような半導体で発現しうるのかについては判然としていない。本研究では、実用的に重要な酸化物半導体も研究対象として加え研究を進める。光照射時の力学物性に関する実験および計算解析に加え、発光などの新規機能発現の検証を行い、半導体中の転位に関する新しい材料科学構築を目指す。