高温溶液成長の3DxTイメージングとフェーズフィールドアナリシス

• Project/Area Number: 24H00384
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 26:Materials engineering and related fields
• Research Institution: Osaka University
• Principal Investigator: 吉川 健 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (90435933)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 小泉 雄一郎 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (10322174) ; 鹿園 直毅 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (30345087) ; 奥川 将行 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (70847160) ; 中本 将嗣 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (80467539) ; 川西 咲子 京都大学, エネルギー科学研究科, 准教授 (80726985)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥48,360,000 (Direct Cost: ¥37,200,000、Indirect Cost: ¥11,160,000); Fiscal Year 2025: ¥9,360,000 (Direct Cost: ¥7,200,000、Indirect Cost: ¥2,160,000); Fiscal Year 2024: ¥20,410,000 (Direct Cost: ¥15,700,000、Indirect Cost: ¥4,710,000)
• Keywords: 3DxTイメージング / 界面過飽和度 / SiC / フェーズフィールドシミュレーション

Outline of Research at the Start

本研究では、①高温溶液成長界面の3DxTイメージング法を確立し、温度・流れ場の完全把握下での界面成長挙動を観察、②レーザー干渉像からの3次元界面成長構造のリアルタイム評価、③フェーズフィールドモデリングによる成長構造の再現とデータ同化による界面過飽和度分布・ステップ物性の同時決定、界面過飽和度の成長環境因子によるモデル化、④界面過飽和度モデルを搭載した界面成長モジュールを結晶成長シミュレータに導入し、単結晶溶液成長による実証試験、を行い、界面過飽和度の解明に挑戦する。