| Project/Area Number |
24H00407
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Review Section |
Medium-sized Section 28:Nano/micro science and related fields
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| Research Institution | Kyushu University |
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Principal Investigator |
吾郷 浩樹 九州大学, 総合理工学研究院, 教授 (10356355)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
碇 智徳 宇部工業高等専門学校, 電気工学科, 教授 (40419619)
原 正大 熊本大学, 大学院先端科学研究部(理), 准教授 (50392080)
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| Project Period (FY) |
2024-04-01 – 2028-03-31
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| Project Status |
Granted (Fiscal Year 2024)
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| Budget Amount *help |
¥47,840,000 (Direct Cost: ¥36,800,000、Indirect Cost: ¥11,040,000)
Fiscal Year 2024: ¥14,820,000 (Direct Cost: ¥11,400,000、Indirect Cost: ¥3,420,000)
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| Keywords | 遷移金属ダイカルコゲナイド / 六方晶窒化ホウ素 / CVD / 転写 / トランジスタ |
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| Outline of Research at the Start |
近年、ポストシリコンを担う次世代半導体材料として、原子レベルの厚さの二次元物質が大きな期待を集めている。本研究では、二次元の半導体である遷移金属ダイカルコゲナイドと絶縁体である六方晶窒化ホウ素の高品質合成法に関する研究を行い、二次元物質の結晶成長の学理構築を目指す。さらに、独自の転写法を活用して、高度な積層構造体を作製し、優れた特性を示す半導体デバイスの実現を目指した研究も行う。これらの取り組みにより、将来の二次元デバイスの根幹をなし、世界を先導する研究成果の創出につなげる。
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