SNDMを用いた次世代パワーエレクトロニクスの創出に資する革新的評価技術の開発

• Project/Area Number: 24H00414
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 29:Applied condensed matter physics and related fields
• Research Institution: Tohoku University
• Principal Investigator: 山末 耕平 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (70467455)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 長 康雄 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 特任教授 (40179966)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥48,360,000 (Direct Cost: ¥37,200,000、Indirect Cost: ¥11,160,000); Fiscal Year 2025: ¥10,790,000 (Direct Cost: ¥8,300,000、Indirect Cost: ¥2,490,000); Fiscal Year 2024: ¥20,670,000 (Direct Cost: ¥15,900,000、Indirect Cost: ¥4,770,000)
• Keywords: 走査型非線形誘電率顕微鏡 / パワーエレクトロニクス / 半導体 / 局所DLTS / 局所CV特性測定 / ワイドバンドギャップ半導体 / プローブ顕微鏡 / MOSFET

Outline of Research at the Start

本研究では，SiC，GaN，ダイヤモンド等のワイドバンドギャップ半導体を用いた次世代パワー半導体デバイスの研究開発に貢献するため，ナノスケール計測技術の開発を目指す．中核となるのは，走査型非線形誘電率顕微鏡技術（SNDM）である．時間分解SNDMの高感度化・広帯域化を行い，活性化ドーパント濃度分布観察や界面欠陥の密度分布観察が可能な顕微鏡技術，物性異常の起源を特定可能な顕微分光法を実現する．また，SNDMによる計測結果からパワーデバイスの特性予測を可能とするシミュレーション手法を確立する．これにより，我が国発の独自のナノスケール半導体評価に関する先端計測機器とその学術の創出を目指す．