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Development of next-generation semiconductor lasers using ultra-high-speed spin control technology

Research Project

Project/Area Number 24H00426
Research Category

Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

Allocation TypeSingle-year Grants
Section一般
Review Section Medium-sized Section 30:Applied physics and engineering and related fields
Research InstitutionUniversity of Tsukuba

Principal Investigator

大野 裕三  筑波大学, 数理物質系, 教授 (00282012)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 横田 信英  静岡大学, 電子工学研究所, 准教授 (00734542)
三浦 良雄  京都工芸繊維大学, 電気電子工学系, 教授 (10361198)
揖場 聡  国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 主任研究員 (90647059)
Project Period (FY) 2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status Granted (Fiscal Year 2025)
Budget Amount *help
¥49,530,000 (Direct Cost: ¥38,100,000、Indirect Cost: ¥11,430,000)
Fiscal Year 2025: ¥8,190,000 (Direct Cost: ¥6,300,000、Indirect Cost: ¥1,890,000)
Fiscal Year 2024: ¥33,800,000 (Direct Cost: ¥26,000,000、Indirect Cost: ¥7,800,000)
Keywords半導体スピントロニクス / スピン緩和 / 半導体レーザー / コヒーレント光通信 / スピントロニクス
Outline of Research at the Start

振幅と位相が変調された光波を送受信する光通信において、大容量化を実現する鍵は高多値度で変調された信号光の復調技術の革新である。そのためには、周波数・位相が高度に制御された高機能局発光源の開発が必要である。本研究では、その光源に応用可能な半導体スピンレーザに着目し、光学的スピン注入による高速スピン変調によりレーザ出力光の位相・周波数制御を実証する。また、我々が独自に開発を進めてきた高度なGaAs (110)面結晶成長技術・スピン制御技術・磁性電極の成膜技術・レーザ物理の知見を駆使して電気的スピン注入による高速スピン変調技術を開発し、光通信に応用可能な電流駆動スピンレーザを世界に先駆けて実現する。

Report

(1 results)
  • 2024 Comments on the Screening Results

URL: 

Published: 2024-04-05   Modified: 2025-06-20  

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