Science of Semiconductor Chemical Vapor Deposition

• Project/Area Number: 24H00432
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 30:Applied physics and engineering and related fields
• Research Institution: Kyushu University
• Principal Investigator: 寒川 義裕 九州大学, 応用力学研究所, 教授 (90327320)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 草場 彰 九州大学, 応用力学研究所, 准教授 (70868926) ; 杉山 佳奈美 京都大学, 工学研究科, 助教 (70974377) ; 新田 州吾 三重大学, 研究基盤推進機構, 教授 (80774679)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥47,840,000 (Direct Cost: ¥36,800,000、Indirect Cost: ¥11,040,000); Fiscal Year 2025: ¥12,090,000 (Direct Cost: ¥9,300,000、Indirect Cost: ¥2,790,000); Fiscal Year 2024: ¥13,260,000 (Direct Cost: ¥10,200,000、Indirect Cost: ¥3,060,000)
• Keywords: 化学気相成長 / 化合物半導体 / 表面プロセス / 反応経路探索

Outline of Research at the Start

半導体テクノロジー推進の根幹である化学気相成長は、気相反応、表面反応、固相拡散の素過程が絡み合う複雑系であり、その体系化は科学・工学分野における重要な研究課題である。本研究では、化学気相成長プロセスをそのまま丸ごと仮想空間に再現する技術（eXtensible Simulator Suite for Chemical Vapor Deposition, eXS2-CVD）を開発・展開し、化学気相成長に関する普遍的な物理学的知見を明らかにする。