Reaction mechanism of metal-containing resist for ionizing radiation

• Project/Area Number: 24H00443
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 31:Nuclear engineering, earth resources engineering, energy engineering, and related fields
• Research Institution: Osaka University
• Principal Investigator: 古澤 孝弘 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (20251374)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 室屋 裕佐 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (40334320)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2029-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥47,450,000 (Direct Cost: ¥36,500,000、Indirect Cost: ¥10,950,000); Fiscal Year 2025: ¥9,490,000 (Direct Cost: ¥7,300,000、Indirect Cost: ¥2,190,000); Fiscal Year 2024: ¥10,920,000 (Direct Cost: ¥8,400,000、Indirect Cost: ¥2,520,000)
• Keywords: 放射線、X線、粒子線 / 半導体超微細化 / シミュレーション工学 / 計算物理 / データ科学

Outline of Research at the Start

半導体製造において電離放射線領域にある極端紫外光によるリソグラフィが実現され、これまで露光源の短波長化が進められてきた微細加工分野はついに電離放射線時代に突入した。しかしながら、電離放射線は透過力が高く、材料へのエネルギー付与効率が極めて低い。微細加工分野において電離放射線利用をさらに拡大するために、有機金属薄膜に電離放射線が誘起する化学反応の解明を行う。