耐放射線集積回路における吸収線量に応じたクロックスキュー最適化法

• Project/Area Number: 24H00693
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Section: 一般
• Review Section: Medium-sized Section 60:Information science, computer engineering, and related fields
• Research Institution: Okayama University
• Principal Investigator: 渡邊 実 岡山大学, 環境生命自然科学学域, 教授 (30325576)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2027-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2025)
• Budget Amount: ¥47,190,000 (Direct Cost: ¥36,300,000、Indirect Cost: ¥10,890,000); Fiscal Year 2025: ¥21,970,000 (Direct Cost: ¥16,900,000、Indirect Cost: ¥5,070,000); Fiscal Year 2024: ¥7,800,000 (Direct Cost: ¥6,000,000、Indirect Cost: ¥1,800,000)
• Keywords: 耐放射線デバイス / プログラマブルデバイス / FPGA / トータルドーズ耐性 / クロックスキュー

Outline of Research at the Start

既存のCMOS集積回路(VLSI)は放射線に対して極めて脆弱であり、そのトータルドーズ耐性(放射線耐性）は1～20kGyに留まる。研究代表者はプログラマブルなアーキテクチャに光並列構成法を導入することで、放射線により集積回路上のいかなる個所が破壊されたとしても、絶対にプログラミング機能が停止せず、故障個所を回避して使い続けることのできる光プログラマブルデバイスの開発に世界で初めて成功した。本研究では放射線の吸収線量に応じたクロックスキューの理論解析に取り組み、吸収線量に応じてクロックスキューマージンを最適化する手法を確立する。