Low power operation of magnetic topological insulator devices by controlling interface

• Project/Area Number: 24K00916
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
• Research Institution: Ibaraki University
• Principal Investigator: 小峰 啓史 茨城大学, 応用理工学野, 准教授 (90361287)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 青野 友祐 茨城大学, 応用理工学野, 教授 (20322662) ; 長谷川 靖洋 埼玉大学, 理工学研究科, 准教授 (60334158) ; 千葉 貴裕 東北大学, 学際科学フロンティア研究所, 助教 (90803297)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥18,460,000 (Direct Cost: ¥14,200,000、Indirect Cost: ¥4,260,000); Fiscal Year 2027: ¥4,420,000 (Direct Cost: ¥3,400,000、Indirect Cost: ¥1,020,000); Fiscal Year 2026: ¥4,420,000 (Direct Cost: ¥3,400,000、Indirect Cost: ¥1,020,000); Fiscal Year 2025: ¥4,420,000 (Direct Cost: ¥3,400,000、Indirect Cost: ¥1,020,000); Fiscal Year 2024: ¥5,200,000 (Direct Cost: ¥4,000,000、Indirect Cost: ¥1,200,000)
• Keywords: 磁性トポロジカル絶縁体 / 低消費電力動作 / 界面制御 / 電子状態

Outline of Research at the Start

本研究では，磁性絶縁体/トポロジカル絶縁体の積層構造を用いた磁気トポロジカル絶縁体(Magnetic Topological Insulator, MTI) 素子の電子状態・磁気相互作用をデザインすることで，室温以上のキュリー点，磁気ギャップ開放，スピントルク増強を促し，室温動作MTIを用いた高性能磁気デバイスを創出する．