励起子が情報を記憶する新概念・光メモリの創製

• Project/Area Number: 24K00929
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
• Research Institution: Kyushu University
• Principal Investigator: 板垣 奈穂 九州大学, システム情報科学研究院, 教授 (60579100)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 木山 治樹 九州大学, システム情報科学研究院, 准教授 (80749515)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥18,590,000 (Direct Cost: ¥14,300,000、Indirect Cost: ¥4,290,000); Fiscal Year 2027: ¥2,210,000 (Direct Cost: ¥1,700,000、Indirect Cost: ¥510,000); Fiscal Year 2026: ¥4,940,000 (Direct Cost: ¥3,800,000、Indirect Cost: ¥1,140,000); Fiscal Year 2025: ¥5,070,000 (Direct Cost: ¥3,900,000、Indirect Cost: ¥1,170,000); Fiscal Year 2024: ¥6,370,000 (Direct Cost: ¥4,900,000、Indirect Cost: ¥1,470,000)
• Keywords: 励起子 / ZnO / ZnInON / スパッタリング / メモリ

Outline of Research at the Start

励起子は，半導体の光物性と光機能を担う中核として，主にその生成・消滅に着目した物性解明と受発光デバイスへの工学的応用が行われてきた．一方で，「電子とホールが再結合する過程=中間状態」である励起子が，外場中でどのように輸送され，保存されるかの議論は少ない．本研究の目的は，「マクロスケールでは電気的に中性で，かつ中間状態である励起子は，外場中でどのように輸送・保存されるのか？ 」を明らかにすることで、励起子の輸送と保存を利用した革新デバイスを創製することである．