フレキシブルテラヘルツデバイスに向けたシリコン有効媒質材料の基盤研究

• Project/Area Number: 24K00933
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 21050:Electric and electronic materials-related
• Research Institution: Osaka Research Institute of Industrial Science and Technology
• Principal Investigator: 山根 秀勝 地方独立行政法人大阪産業技術研究所, 和泉センター, 研究員 (10867823)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 冨士田 誠之 大阪大学, 大学院基礎工学研究科, 准教授 (40432364) ; 村上 修一 地方独立行政法人大阪産業技術研究所, 和泉センター, 主幹研究員 (70359420) ; 山田 義春 地方独立行政法人大阪産業技術研究所, 和泉センター, 主任研究員 (50463625) ; 近藤 裕佑 地方独立行政法人大阪産業技術研究所, 和泉センター, 主任研究員 (30470397)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2027-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥18,590,000 (Direct Cost: ¥14,300,000、Indirect Cost: ¥4,290,000); Fiscal Year 2026: ¥5,850,000 (Direct Cost: ¥4,500,000、Indirect Cost: ¥1,350,000); Fiscal Year 2025: ¥5,850,000 (Direct Cost: ¥4,500,000、Indirect Cost: ¥1,350,000); Fiscal Year 2024: ¥6,890,000 (Direct Cost: ¥5,300,000、Indirect Cost: ¥1,590,000)
• Keywords: MEMS / テラヘルツ / シリコンフォトニクス

Outline of Research at the Start

次世代情報通信システム6Gの実現に向けてテラヘルツ波の広い周波数帯域の活用が期待され、伝播損失が小さいシリコン誘電体回路が注目されている。シリコン基板に微細構造を加工することで、基板はシリコン/空気の有効媒質として機能し、その光学特性を調整することができる。本研究ではテラヘルツ帯域における光学フィルターや通信デバイスの高機能化のための基盤研究としてテラヘルツ波の動的な操作や制御方法を確立することを目指す。MEMS微細加工技術を用いて、シリコン有効媒質材料を基盤に、既存のテラヘルツデバイスにはない新規の光学的制御性やウェアラブルデバイス化の可能性を見出す。