磁気スキルミオンを用いた新規機能性デバイスの創出

Research Project

Project/Area Number	24K00952
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 21060:Electron device and electronic equipment-related
Research Institution	National Institute for Materials Science
Principal Investigator	葛西伸哉国立研究開発法人物質・材料研究機構, 磁性・スピントロニクス材料研究センター, グループリーダー (20378855)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	世伯理那仁 (S.AminHossein) 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 磁性・スピントロニクス材料研究センター, グループリーダー (10621758) 杉本聡志国立研究開発法人物質・材料研究機構, 磁性・スピントロニクス材料研究センター, 主任研究員 (90812610)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥17,160,000 (Direct Cost: ¥13,200,000、Indirect Cost: ¥3,960,000) Fiscal Year 2026: ¥2,470,000 (Direct Cost: ¥1,900,000、Indirect Cost: ¥570,000) Fiscal Year 2025: ¥2,470,000 (Direct Cost: ¥1,900,000、Indirect Cost: ¥570,000) Fiscal Year 2024: ¥12,220,000 (Direct Cost: ¥9,400,000、Indirect Cost: ¥2,820,000)
Keywords	スピントロニクス / 不揮発性メモリ / スキルミオン
Outline of Research at the Start	磁気スキルミオンはトポロジーに守られた極小の磁区構造である。当該特性を活かしたデバイス構築のため、本研究では薄膜ヘテロ接合の最適化を行うことで、情報読み込みに対応する磁気トンネル接合の組み込み、情報書き込みに対応する高効率制御手法の確立、という二つの課題に取り組む。これにより、ナノスケールの磁気スキルミオンの実時間動的評価を可能とする。電流および電圧による高効率なスキルミオン制御を実現することで、スキルミオンの高速・低消費電力メモリ特性を実証するとともに、実時間動作可能な物理リザバーとしての応用可能性を検討する。