Production and performance improvement of flexible organic semiconductors by rapid expansion of supercritical solutions using CO2

Research Project

Project/Area Number	24K01233
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 27010:Transport phenomena and unit operations-related
Research Institution	Kanazawa University
Principal Investigator	内田博久金沢大学, フロンティア工学系, 教授 (70313294)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥18,460,000 (Direct Cost: ¥14,200,000、Indirect Cost: ¥4,260,000) Fiscal Year 2026: ¥2,860,000 (Direct Cost: ¥2,200,000、Indirect Cost: ¥660,000) Fiscal Year 2025: ¥4,160,000 (Direct Cost: ¥3,200,000、Indirect Cost: ¥960,000) Fiscal Year 2024: ¥11,440,000 (Direct Cost: ¥8,800,000、Indirect Cost: ¥2,640,000)
Keywords	有機製膜 / 超臨界溶体急速膨張法 / フレキシブル薄膜トランジスタ / 有機半導体 / 二酸化炭素
Outline of Research at the Start	本研究では，我々が考案したCO2を利用した超臨界溶体急速膨張法によるフレキシブル有機半導体の創製技術の実用化を目標として，フレキシブル基板（高分子材料）に適用可能な有機薄膜設計［膜厚，薄膜の結晶粒のサイズ・形態・分子配向性・結晶性・結晶構造，薄膜の緻密さ（結晶粒界）の制御］技術の確立及び有機薄膜トランジスタ（OTFT）の創製を目指す。具体的には，創製薄膜の結晶特性及び電気特性（キャリア移動度，ON/OFF比，閾値電圧）に及ぼす種々の操作因子の影響を系統的に調査し，フレキシブル基板上での高性能薄膜の設計指針を提案する。さらに，得られた薄膜設計指針に基づき，高性能フレキシブルOTFT創製を目指す。