分極反転ダイナミクスの実空間観察に基づく強誘電体薄膜の分極疲労メカニズムの解明

• Project/Area Number: 24K01338
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 29020:Thin film/surface and interfacial physical properties-related
• Research Institution: Tohoku University
• Principal Investigator: 平永 良臣 東北大学, 電気通信研究所, 准教授 (70436161)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 小林 正治 東京大学, 生産技術研究所, 准教授 (40740147)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2028-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥18,720,000 (Direct Cost: ¥14,400,000、Indirect Cost: ¥4,320,000); Fiscal Year 2027: ¥4,160,000 (Direct Cost: ¥3,200,000、Indirect Cost: ¥960,000); Fiscal Year 2026: ¥4,420,000 (Direct Cost: ¥3,400,000、Indirect Cost: ¥1,020,000); Fiscal Year 2025: ¥4,420,000 (Direct Cost: ¥3,400,000、Indirect Cost: ¥1,020,000); Fiscal Year 2024: ¥5,720,000 (Direct Cost: ¥4,400,000、Indirect Cost: ¥1,320,000)
• Keywords: 強誘電体 / プローブ顕微鏡

Outline of Research at the Start

酸化ハフニウム基強誘電体薄膜を用いた次世代不揮発性メモリや演算素子の開発における最大の問題点は書き換え可能回数に対する制約である．本研究課題はこの問題の直接的な原因となっている分極疲労現象に焦点を当て，独自のアプローチ，具体的には局所C-Vマッピング法というプローブ顕微鏡手法を駆使したナノスケール領域での分極反転挙動の直接可視化によって，現象の理解ならびに問題の解決を目指す．