14族二次元物質の面内ヘテロ構造の創製と電子構造

• Project/Area Number: 24K01345
• Research Category: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• Allocation Type: Multi-year Fund
• Section: 一般
• Review Section: Basic Section 29020:Thin film/surface and interfacial physical properties-related
• Research Institution: Nagoya University
• Principal Investigator: 柚原 淳司 名古屋大学, 工学研究科, 准教授 (10273294)
• Project Period (FY): 2024-04-01 – 2027-03-31
• Project Status: Granted (Fiscal Year 2024)
• Budget Amount: ¥18,460,000 (Direct Cost: ¥14,200,000、Indirect Cost: ¥4,260,000); Fiscal Year 2026: ¥5,200,000 (Direct Cost: ¥4,000,000、Indirect Cost: ¥1,200,000); Fiscal Year 2025: ¥5,070,000 (Direct Cost: ¥3,900,000、Indirect Cost: ¥1,170,000); Fiscal Year 2024: ¥8,190,000 (Direct Cost: ¥6,300,000、Indirect Cost: ¥1,890,000)
• Keywords: 14 族ポストグラフェン / ゲルマネン / スタネン / プランベン / 結晶成長

Outline of Research at the Start

14族ハニカムナノシートは特殊な2次元トポロジカル絶縁体であり、高キャリア易動度とバンドギャップの制御性を合わせもつ革新的エレクトロニクス材料であるとの理論予測があり、創製研究が活況を呈している。しかしながら、ハニカムナノシートのエッジに着目した研究はほとんどされていない。エッジの幾何学的構造と電子状態の関係性を明らかにすることは、トポロジカル絶縁体やスピントロニクス材料への応用を目指すにあたり大変重要である。本研究では、本応募者らが開発してきた表面偏析法や表面改質法を融合させることにより、面内ヘテロ構造を創製し、走査型トンネル分光にて詳細な電子状態の界面からの距離依存性を明らかにする。