Development of Ideal SiO2/SIC interface by surface-and-reaction-controlled thermal oxidation

Research Project

Project/Area Number	24K01348
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 29020:Thin film/surface and interfacial physical properties-related
Research Institution	Kwansei Gakuin University
Principal Investigator	細井卓治関西学院大学, 工学部, 准教授 (90452466)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥18,460,000 (Direct Cost: ¥14,200,000、Indirect Cost: ¥4,260,000) Fiscal Year 2026: ¥4,810,000 (Direct Cost: ¥3,700,000、Indirect Cost: ¥1,110,000) Fiscal Year 2025: ¥4,810,000 (Direct Cost: ¥3,700,000、Indirect Cost: ¥1,110,000) Fiscal Year 2024: ¥8,840,000 (Direct Cost: ¥6,800,000、Indirect Cost: ¥2,040,000)
Keywords	SiC / MOSFET / パワーデバイス / パワーエレクトロニクス
Outline of Research at the Start	本研究課題では、膜厚2 nm以下の極薄SiO2膜形成に焦点を絞り、SiO2/SiC界面の欠陥構造を極限まで減らすプロセスを構築すると共に、SiC伝導帯の特異な電子状態と界面欠陥の影響を切り分けることで、SiO2/SiC界面特有の物理を明らかにすると共に、SiC MOSFETの真の性能限界を見極めることができる。さらに、界面特性に優れた極薄SiO2膜を下地層として、その上に厚いSiO2膜を堆積することで高い性能と信頼性を両立したSiC MOSFETの実現を目指す。