Development of operando spin-resolved photoemission microscopy and visualization of electronic states in quantum devices

Research Project

Project/Area Number	24K01352
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 29020:Thin film/surface and interfacial physical properties-related
Research Institution	National Institute for Materials Science
Principal Investigator	矢治光一郎国立研究開発法人物質・材料研究機構, マテリアル基盤研究センター, グループリーダー (50447447)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	岩崎拓哉国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 独立研究者 (50814274)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥18,330,000 (Direct Cost: ¥14,100,000、Indirect Cost: ¥4,230,000) Fiscal Year 2026: ¥3,120,000 (Direct Cost: ¥2,400,000、Indirect Cost: ¥720,000) Fiscal Year 2025: ¥4,810,000 (Direct Cost: ¥3,700,000、Indirect Cost: ¥1,110,000) Fiscal Year 2024: ¥10,400,000 (Direct Cost: ¥8,000,000、Indirect Cost: ¥2,400,000)
Keywords	スピン分解光電子分光 / 電子物性 / 原子層材料
Outline of Research at the Start	革新的な省エネ・高速デバイスの創製にはその特性や性能に直接寄与する機能電子を動作環境下で可視化することが求められる。本研究ではこれまで不可能だった量子デバイスやスピントロニクスデバイスの動作環境における機能電子を計測するためのオペランド顕微スピン分解光電子分光装置を開発する。本手法のユースケースの提案として、グラフェン電界効果トランジスタの動作環境における電子状態の研究を行う。