大きな表面分極を持つトポロジカル半金属の半導体デバイスへの応用

Research Project

Project/Area Number	24K01353
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Allocation Type	Multi-year Fund
Section	一般
Review Section	Basic Section 29020:Thin film/surface and interfacial physical properties-related
Research Institution	National Institute for Materials Science
Principal Investigator	原田尚之国立研究開発法人物質・材料研究機構, ナノアーキテクトニクス材料研究センター, 独立研究者 (90609942)
Project Period (FY)	2024-04-01 – 2027-03-31
Project Status	Granted (Fiscal Year 2024)
Budget Amount *help	¥18,460,000 (Direct Cost: ¥14,200,000、Indirect Cost: ¥4,260,000) Fiscal Year 2026: ¥2,860,000 (Direct Cost: ¥2,200,000、Indirect Cost: ¥660,000) Fiscal Year 2025: ¥5,850,000 (Direct Cost: ¥4,500,000、Indirect Cost: ¥1,350,000) Fiscal Year 2024: ¥9,750,000 (Direct Cost: ¥7,500,000、Indirect Cost: ¥2,250,000)
Keywords	薄膜 / ヘテロ構造 / 半導体デバイス / トポロジカル / 金属
Outline of Research at the Start	本研究では、安定な表面状態を持つトポロジカル半金属材料を開発し、それをシリコンやワイドギャップ半導体と接合する。主に、金属間化合物を対象として、密度汎関数法による計算を利用しながら新しい金属材料を開発する。その際、金属間化合物を構成する元素の種類、結合の性質、結晶構造の対称性・異方性に着目する。新しい金属材料を利用して、既存の系を超えるデバイス特性の実現を目指す。